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氧化鎵，突破西方封鎖還靠這幾家企業(yè)？

2023-01-31 17:35:07
次

氧化鎵半導(dǎo)體網(wǎng)上都通俗地叫第四代半導(dǎo)體，但正確的應(yīng)該叫超寬禁帶材料。

氧化鎵（Ga2O3）是一種無機(jī)化合物，Ga2O3 有五種同分異構(gòu)體：α，β，γ，δ，ε。這些同分異構(gòu)體中，其中Z穩(wěn)定的是β-異構(gòu)體，當(dāng)加熱至1000℃以上或水熱條件（即濕法）加熱至300℃以上時(shí)，所有其他的異構(gòu)體都被轉(zhuǎn)換為β-異構(gòu)體?？刹捎酶髯圆煌姆椒ㄖ频酶鞣N純的異構(gòu)體。

氧化鎵獨(dú)特魅力一：超寬禁帶。

氧化鎵


氧化鎵與碳化硅、氮化鎵相比，氧化鎵基功率器件具備高耐壓、低損耗、高效率、小尺寸等特點(diǎn)，例如:同等耐壓情況下，對(duì)比起碳化硅基器件的損耗，氧化鎵基要降低86%，尺寸僅為碳化硅基的1/5左右。

作為新一代半導(dǎo)體材料的氧化鎵（Ga2O3），是繼第三代半導(dǎo)體碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）之后Z具市場(chǎng)潛力的材料。我國(guó)內(nèi)超2/3的半導(dǎo)體產(chǎn)品依賴進(jìn)口，氧化鎵的出現(xiàn)，是國(guó)內(nèi)市場(chǎng)的一次機(jī)遇，有望擊碎“卡脖子”的現(xiàn)況。為此，今年我國(guó)科技部將氧化鎵列入“十四五重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃”，讓第四代半導(dǎo)體獲得更廣泛關(guān)注。

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氧化鎵氧化銦


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