氧化鎵（GaO）——性能遠(yuǎn)超氮化鎵的下一代半導(dǎo)體材料新星

2022-12-30 15:35:25

次

氧化鎵(III)，即三氧化二鎵，是鎵的氧化物中Z穩(wěn)定的。在空氣中加熱金屬鎵使之氧化或在200-250℃時焙燒硝酸鎵、氫氧化鎵以及某些鎵的化合物都可形成Ga2O3. Ga2O3 有五種同分異構(gòu)體：α，β，γ，δ，ε，其中Z穩(wěn)定的是β-異構(gòu)體，當(dāng)加熱至1000℃以上或水熱條件（即濕法）加熱至300℃以上時，所有其他的異構(gòu)體都被轉(zhuǎn)換為β-異構(gòu)體?？刹捎酶髯圆煌姆椒ㄖ频酶鞣N純的異構(gòu)體。

氧化鎵（GaO）——性能遠(yuǎn)超氮化鎵的下一代半導(dǎo)體材料新星

美國政府在針對中國的Z新舉措中，Z近又對一種Z早由日本開發(fā)的下一代半導(dǎo)體材料實施了出口管制——氧化鎵（GaO）。

在8月12日，美國商務(wù)部工業(yè)和安全局(BIS)發(fā)布了一項Z新裁決，將氧化鎵（GaO）半導(dǎo)體基片——確定為“對美國國家安全至關(guān)重要的”的“新興和基礎(chǔ)”技術(shù)，這是美國全面實施衍生技術(shù)制裁的一部分氧化鎵（GaO）——是21世紀(jì)Z有潛力的半導(dǎo)體材料之一，主要用于制造電動汽車、電子產(chǎn)品和軍事等應(yīng)用中的超高效功率器件。值得一提的是，美國國防部(US Department of Defense)是該領(lǐng)域ling先美國公司的主要投資者之一。

氧化鎵（GaO）——性能遠(yuǎn)超氮化鎵的下一代半導(dǎo)體材料新星