氧化鎵(III)，即三氧化二鎵，是鎵的氧化物中zui穩(wěn)定的。在空氣中加熱金屬鎵使之氧化或在200-250℃時(shí) 焙燒硝酸鎵、氫氧化鎵以及某些鎵的化合物都可形成Ga2O3. Ga2O3 有五種同分異構(gòu)體：α，β，γ，δ，ε，其中zui穩(wěn)定的是β-異構(gòu)體，當(dāng)加熱至1000℃以上或水熱條件（即濕法）加熱至300℃以上時(shí)，所有其他的異構(gòu)體都被轉(zhuǎn)換為β-異構(gòu)體。可采用各自不同的方法制得各種純的異構(gòu)體。

如果你百度搜索氧化鎵，就會(huì)發(fā)現(xiàn)他的連鎖關(guān)鍵詞為半導(dǎo)體材料。

半導(dǎo)體，一個(gè)非常大的概念，不同半導(dǎo)體又會(huì)使用不同的材料，那么憑什么氧化鎵被封為“新時(shí)代材料呢”？

首先看一下它的物理特性：

作為半導(dǎo)體材料，氧化鎵比現(xiàn)有的硅（Si）、碳化鎵、碳化硅材料更容易實(shí)現(xiàn)高電壓，并且具有保持穩(wěn)定的性能，所以是一種節(jié)省電力的好材料。

這種特性讓氧化鎵多用于太陽能發(fā)電、風(fēng)力發(fā)電、電動(dòng)汽車等領(lǐng)域。作為新一代半導(dǎo)體器件，前景廣闊。

什么是MOSFECT?

提到氧化鎵，我們經(jīng)常也會(huì)看到MOSFET這個(gè)單詞。

首先，MOSFECT是晶體管的一種，它是一種半導(dǎo)體器件。

目前市面上出售的硅溝槽MOSFET一般只能在小于200V或者更低的電壓下?lián)舸?。不過如果用了氧化鎵材料的話，MOSFET可以承受2300V的極高電壓！因此被成為超強(qiáng)半導(dǎo)體或者極端環(huán)境半導(dǎo)體。

（可以耐受極高電壓、高溫、高沖擊、高輻射的半導(dǎo)體材料多為UWBG金剛石半導(dǎo)體和氧化鎵半導(dǎo)體以及氮化鋁半導(dǎo)體。）

而通過氧化鎵制作的半導(dǎo)體不僅可以在更小的尺寸下承受更高的電壓，還可以減少半導(dǎo)體芯片的尺寸以及芯片的規(guī)模和系統(tǒng)的尺寸?？芍^是“小而強(qiáng)”