如果你百度搜索氧化鎵,就會發(fā)現(xiàn)他的連鎖關(guān)鍵詞為半導(dǎo)體材料。
半導(dǎo)體,一個非常大的概念,不同半導(dǎo)體又會使用不同的材料,那么憑什么氧化鎵被封為“新時代材料呢”?
首先看一下它的物理特性:
作為半導(dǎo)體材料,氧化鎵比現(xiàn)有的硅(Si)、碳化鎵、碳化硅材料更容易實(shí)現(xiàn)高電壓,并且具有保持穩(wěn)定的性能,所以是一種節(jié)省電力的好材料。
這種特性讓氧化鎵多用于太陽能發(fā)電、風(fēng)力發(fā)電、電動汽車等領(lǐng)域。作為新一代半導(dǎo)體器件,前景廣闊。
什么是MOSFECT?
提到氧化鎵,我們經(jīng)常也會看到MOSFET這個單詞。
首先,MOSFECT是晶體管的一種,它是一種半導(dǎo)體器件。
目前市面上出售的硅溝槽MOSFET一般只能在小于200V或者更低的電壓下?lián)舸2贿^如果用了氧化鎵材料的話,MOSFET可以承受2300V的極高電壓!因此被成為超強(qiáng)半導(dǎo)體或者極端環(huán)境半導(dǎo)體。
而通過氧化鎵制作的半導(dǎo)體不僅可以在更小的尺寸下承受更高的電壓,還可以減少半導(dǎo)體芯片的尺寸以及芯片的規(guī)模和系統(tǒng)的尺寸??芍^是“小而強(qiáng)”
氧化鎵材料的研發(fā)
日本在氧化鎵的半導(dǎo)體材料使用的能力領(lǐng)先于其他國家,甚至在21年之前一直處于壟斷地位。
但是韓國的研究團(tuán)隊(duì)在21年宣布開發(fā)出了可商業(yè)化的氧化鎵功率半導(dǎo)體。
該種半導(dǎo)體通過熔體生長的方法讓基板延伸,得到更大面積的基板。
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