瞄準(zhǔn)氧化鎵未來(lái)??！

除了Si功率器件和大熱的第三代半導(dǎo)體之外 業(yè)界也開始對(duì)氧化鎵(Ga2O3 )投入了興趣關(guān)于氧化鎵此前也有不少關(guān)于技術(shù)方面的報(bào)道《潛力無(wú)限的氧化鎵》 氧化鎵被視為是更新一代的半導(dǎo)體材料 它比起以往的電子元件更有效率 在晶圓價(jià)格方面也比SiC 等要更為低廉 據(jù)Fact.MR的研究 與2020年相比 預(yù)計(jì)2030年全球氧化鎵市場(chǎng)的價(jià)值將增加 2.8倍 其中5N級(jí)（氧化鎵市場(chǎng)等級(jí)有4N 5N 6N）產(chǎn)品占據(jù)全球氧化鎵市場(chǎng)近66%的份額。

據(jù)日本氧化鎵企業(yè)Novel Crystal Technology（NCT）的介紹 β-氧化鎵是一種新型的半導(dǎo)體功率器件材料 具有比SiC和GaN更大的帶隙能量 因此 很有可能被用于制造高電壓低電阻的半導(dǎo)體 此外 由于它是從熔體中生長(zhǎng)β-氧化鎵單晶 與SiC和GaN相比 它的生長(zhǎng)速度較快 而且其substrate process也叫容易 所以可以以低成本向市場(chǎng)提供高質(zhì)量的基材。

在 氧 化 鎵 方 面 的 研 究 日 本 相 對(duì) 較 領(lǐng) 先 其 中 Tamura Corporation, Novel CrystalTechnology, 和Kyma Technologies是比較領(lǐng)先的氧化鎵供應(yīng)商 2012年日本首先實(shí)現(xiàn)2英寸現(xiàn)量產(chǎn)國(guó)內(nèi)方面 氧化鎵自2017年開始逐步成為中國(guó)的熱點(diǎn) 2017年9月份 科技部高新司重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃把氧化鎵列入其中 2018年3月 北京市科委率先開展了前沿新材料的研究 把氧化鎵列為重點(diǎn)項(xiàng)目。

韓國(guó)政府在今年4月1日發(fā)布了先進(jìn)功率半導(dǎo)體研發(fā)和產(chǎn)能提升計(jì)劃 韓國(guó)政府計(jì)劃到 2025年將市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力提升到全球水平 到那時(shí)至少可以從韓國(guó)獲得五種先進(jìn)的功率半導(dǎo)體產(chǎn)品將針對(duì)SiC GaN 氧化鎵三種材料開展應(yīng)用技術(shù)和技術(shù)攻關(guān) 突破有機(jī)硅材料的局限性助力國(guó)內(nèi)企業(yè)的材料和晶圓研發(fā)工作

結(jié)語(yǔ)

可喜的是 無(wú)論是IGBT MOSFET 還是SiC以及GaN 甚至是現(xiàn)在超前的氧化鎵領(lǐng)域中國(guó)都有廠商布局 并且正在不斷研發(fā)和生產(chǎn) 開始慢慢取得一席之地。