氧化鎵材料的優(yōu)勢

2022-02-12 16:41:14

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氧化鎵材料的優(yōu)勢：

后摩爾時代，具有先天性能優(yōu)勢的寬禁帶半導體材料脫穎而出，將推動電力電子器件提高效率、提高密度、縮小尺寸、減輕重量、降低總成本。而超寬禁帶的禁帶寬度，決定了耐壓值、損耗、功率、頻率，以及使用等方面，超寬禁帶材料相對于硅基和第三代半導體材料都有優(yōu)勢。

第四代半導體比較典型的材料有氧化鎵、金剛石等。據(jù)張杰教授透露，北歐對氧化鎵材料進行了長時間的研究工作。氧化鎵半導體材料，是目前國際上普遍關注和認可的下一代超寬禁帶代表性材料。

氧化鎵材料的優(yōu)勢

目前，對第四代半導體材料的研究和發(fā)展，已經(jīng)進入了國際研究視野。與第三代半導體材料相比，第四代半導體材料在耐壓性能、頻率性能上又有一些新的提升。而且根據(jù)國際上著名出版集團每年對相關研究主題進行論文的學術統(tǒng)計，氧化鎵的研究工作進入科睿唯安2021研究前沿物理類，已經(jīng)得到了研究上的推進。

另外一個氧化鎵材料應用，是利用它的超寬禁帶的屬性制作的光電子器件。也就是主要用于日盲光電器件，即紫外區(qū)域，波長短，禁帶寬。由于日盲紫外技術在紅外紫外雙色制導、導彈識別跟蹤、艦載通信等國防領域具有重大戰(zhàn)略意義。