氫氧化銦可用于制取銦的氧化物，作為半導(dǎo)體材料，太陽能電池，液晶顯示材料，低汞和無汞堿性電池的添加劑等。氫氧化銦（In(OH)3）屬于銦的延伸產(chǎn)品，氫氧化銦是制造氧化銦或含氧化銦的化合物粉末的前軀體，可用于制造形成ITO膜(以銦-錫為主成分的復(fù)合氧化物)的濺射用ITO靶材。

ITO膜是廣泛應(yīng)用于太陽能電池和液晶顯示器為主的顯示設(shè)備的透明電極膜。隨著全球數(shù)字化技術(shù)的迅速發(fā)展，當(dāng)今光電設(shè)備逐漸向著個人化、平面顯示的超大型和異形化的方向發(fā)展，濺射靶材等透明導(dǎo)電膜的需求量顯著增加，氫氧化銦作為透明導(dǎo)電膜形成用主要原料的前軀體，其需求量也隨之顯著增加。

常用的制備In(OH)3的方法有化學(xué)氣相沉積法、溶膠-凝膠法、水熱/溶劑熱法、熱分解法、模板法、微乳液法等。隨著對氫氧化銦半導(dǎo)體深入研究以及人們對其性能的不斷更新與需求，還涌現(xiàn)出很多新型的制備方法，如靜電紡絲法、等離子合成法、電解法等。

但是，以上這些方法大都存在合成工藝步驟多、工藝參數(shù)多難以控制，對設(shè)備要求高等缺點(diǎn)導(dǎo)致生產(chǎn)周期長。例如，化學(xué)氣相沉積法需要在高溫高壓或者真空狀態(tài)中進(jìn)行，對設(shè)備要求較高，而且產(chǎn)量較低，難以實(shí)現(xiàn)工業(yè)生產(chǎn)；水熱/溶劑熱法需要在高溫高壓下反應(yīng)，高溫高壓以及部分易腐蝕物質(zhì)會對反應(yīng)釜襯層有一定的磨損，與此同時水熱合成法的生長溫度有一定的限制。

目前納米氫氧化銦的制備技術(shù)都存在一定的技術(shù)優(yōu)勢及缺陷，要想獲得生產(chǎn)成本低、產(chǎn)品純度高、雜質(zhì)含量低、粒度分布均勻、更符合客戶需求的納米氫氧化銦，必須結(jié)合上述工藝的優(yōu)點(diǎn)，攻克技術(shù)難題。