氧化鎵作為第三代半導(dǎo)體的優(yōu)點(diǎn)有哪些？

前段時(shí)間，以碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）為代表的第三代化合物半導(dǎo) 體受到的關(guān)注度越來(lái)越高，它們?cè)谖磥?lái)的大功率、高溫、高壓應(yīng)用場(chǎng)合將發(fā)揮傳 統(tǒng)的硅器件無(wú)法實(shí)現(xiàn)的作用。但是，SiC和GaN并不是終點(diǎn)。

zui近，氧化鎵 （Ga2O3）再一次走入了人們的視野，憑借其比SiC和GaN更寬的禁帶，該種 化合物半導(dǎo)體在更高功率的應(yīng)用方面具有獨(dú)特優(yōu)勢(shì)。因此，近幾年關(guān)于氧化鎵的 研究又熱了起來(lái)。 氧化鎵是一種寬禁帶半導(dǎo)體，禁帶寬度Eg＝4．9eV，其導(dǎo)電性能和發(fā)光特 性良好。

因此，其在光電子器件方面有廣闊的應(yīng)用前景，被用作于Ga基半導(dǎo)體 材料的絕緣層，以及紫外線濾光片。β－Ga2O3的主要優(yōu)勢(shì)在于禁帶寬度，但 也存在著不足，主要表現(xiàn)在遷移率和導(dǎo)熱率低，特別是導(dǎo)熱性能是其主要短板。 不過(guò)，相對(duì)來(lái)說(shuō)，這些缺點(diǎn)對(duì)功率器件的特性不會(huì)有太大的影響，這是因?yàn)楣β? 器件的性能主要取決于擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度。 

未來(lái)，氧化鎵更有可能在擴(kuò)展超寬禁帶系統(tǒng)可用的功率和電壓范圍方面發(fā)揮 作用。而*有希望的應(yīng)用可能是電力調(diào)節(jié)和配電系統(tǒng)中的高壓整流器，如電動(dòng)汽 車和光伏太陽(yáng)能系統(tǒng)。但是，在成為電力電子產(chǎn)品的主要競(jìng)爭(zhēng)者之前，氧化鎵仍 需要開(kāi)展更多的研發(fā)和推進(jìn)工作，以克服自身的不足。