三氧化二鎵（Ga2O3）是一種寬禁帶半導(dǎo)體，Eg=4.9eV，其導(dǎo)電性能和發(fā)光特性長(zhǎng)期以來一直引起人們的注意。Ga2O3是一種透明的氧化物半導(dǎo)體材料，在光電子器件方面有廣闊的應(yīng)用前景 ，被用作于Ga基半導(dǎo)體材料的絕緣層，以及紫外線濾光片。它還可以用作O2化學(xué)探測(cè)器。

Singisetti教授和他的學(xué)生（Ke Zang和Abhishek Vaidya）制造了一個(gè)由5微米的、由氧化鎵制成的金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET），而一張紙的厚度約為100微米。

其他研究人員也正在研究氧化鎵。在AIP出版社發(fā)表在應(yīng)用物理快報(bào)上的一篇文章中，作者Higashiwaki和Jessen概述了使用氧化鎵生產(chǎn)微電子的案例。作者專注于場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FET），這些器件可以從氧化鎵的大臨界電場(chǎng)強(qiáng)度中獲益。Jessen所說的質(zhì)量可以實(shí)現(xiàn)具有更小幾何結(jié)構(gòu)的FET的設(shè)計(jì)以及可以破壞任何其他FET材料的侵蝕性摻雜分布。

“微電子世界*大的缺點(diǎn)之一就是充分利用電源：設(shè)計(jì)人員總是希望減少過多的電力消耗和不必要的熱量產(chǎn)生，”空軍研究實(shí)驗(yàn)室的首席電子工程師Gregg Jessen說?！巴ǔ＃梢酝ㄟ^縮小設(shè)備來實(shí)現(xiàn)此目的。但是，目前使用的技術(shù)已經(jīng)接近其許多應(yīng)用所需的工作電壓極限。它們受到了臨界電場(chǎng)強(qiáng)度的限制?！痹摬牧显诟鞣N應(yīng)用中的靈活性源于其廣泛的可能導(dǎo)電性，由于其電場(chǎng)強(qiáng)度，從高導(dǎo)電性到非常絕緣性和高擊穿電壓能力。因此，氧化鎵可以達(dá)到極端程度。大面積的氧化鎵晶圓也可以從熔體中生長(zhǎng)，從而降低了制造成本。