目前，以碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)為代表的第三代化合物半導體受到的關注度越來越高，它們在未來的大功率、高溫、高壓應用場合將發(fā)揮傳統(tǒng)的硅器件無法實現的作用。氧化鍺特別是在未來三大新興應用領域(汽車、5G和物聯網)之一的汽車方面，會有非常廣闊的發(fā)展前景。氧化鎵是一種寬禁帶半導體，禁帶寬度Eg=4.9eV，其導電性能和發(fā)光特性良好，因此，其在光電子器件方面有廣闊的應用前景，被用作于Ga基半導體材料的絕緣層，以及紫外線濾光片。氧化鍺粉末這些是氧化鎵的傳統(tǒng)應用領域，而其在未來的功率、特別是大功率應用場景才是更值得期待的。

氟化鎵:白色結晶粉末。六方晶結構。氧化鍺易溶于稀鹽酸。具強腐蝕性，可以腐蝕玻璃、石英，晶體結構為離子晶體。物化性質:白色結晶粉末。六方晶結構。密度4.47g/cm3。熔點約1000℃。在氮氣流中約800℃下升華而不分解。微溶于水和烯酸中，能溶于氫氟酸中。由六氟鎵酸銨熱分解制取。三水合物易溶于稀鹽酸。具強腐蝕性，可以腐蝕玻璃、石英。高純氧化鍺粉末氟化鎵是一種無機化合物。這種白色固體的熔點超過1000°C，但是在950°C左右就會升華。它具有FeF3型結構，鎵原子為6配位。

生產工藝技術及設備經過多年來的研究和生產實踐后，目前從含鈧原料中提取Sc2O3的工藝技術有下列幾種方法：①萃取法。氧化鍺生產中使用較多,其具有產量大、質量好、回收率高、成本低及生產中可連續(xù)作業(yè)的特點。②離子交換法。生產中也常被采用。其具有產量小，純度較高，收率較低，成本較高及生產周期長的特點。③萃淋樹脂色層法。其具有生產周期短，純度高，收率高和成本低的特點。④液膜萃取法。高純氧化鍺它是膜分離與液液萃取相結合的一種新型分離技術。

目前，我國金屬鎵的消費領域包含半導體和光電材料、太陽能電池、合金、醫(yī)療器械、磁性資料等，其中半導體行業(yè)已成為鎵最大的消費領域，約占總消費量的80%。氧化鍺隨著鎵下游應用行業(yè)的快速發(fā)展，尤其是半導體和太陽能電池領域，未來對金屬鎵的需求也將穩(wěn)步增長。鎵的用途用來制作光學玻璃、真空管、半導體的原料。裝入石英溫度計可測量高溫。加入鋁中可制得易熱處理的合金。鎵和金的合金應用在裝飾和鑲牙方面。氧化鍺粉末也用來作有機合成的催化劑。鎵是銀白色 金屬 。密度5.904克/厘米3。熔點29.78℃。沸點2403℃。化合價2和3。第一電離能5.999電子伏特。凝固點很低。