氫氧化銦屬于銦的延伸產(chǎn)品，為白色沉淀，加熱至低于150℃時(shí)失水，不溶于冷水、氨水，微溶于NaOH，在濃堿中生成M3[In(OH)6]，溶于酸。制法：由銦鹽水溶液中加入氨水或氫氧化堿而得。呼和浩特氮化鎵用途：廣泛應(yīng)用于顯示Chemicalbook器玻璃、陶瓷、化學(xué)試劑、低汞和無(wú)汞電池的添加劑，以及ITO靶材，如太陽(yáng)能電池、液晶顯示材料、低汞和無(wú)汞堿性電池鋅的添加劑等。氮化鎵隨著電池?zé)o汞化的進(jìn)程，用氫氧化銦取代汞做為電池的添加劑已成為今后電池業(yè)的發(fā)展趨勢(shì)。

氧化銦是一種新的n型透明半導(dǎo)體功能材料，具有較寬的禁帶寬度、較小的電阻率和較高的催化活性，在光電領(lǐng)域、氣體傳感器、催化劑方面得到了廣泛應(yīng)用。氮化鎵而氧化銦顆粒尺寸達(dá)納米級(jí)別時(shí)除具有以上功能外，還具備了納米材料的表面效應(yīng)、量子尺寸效應(yīng)、小尺寸效應(yīng)和宏觀量子隧道效應(yīng)等。哪里有氮化鎵分子式：In2O3，分子量277.62。用途：主要應(yīng)用于生產(chǎn)液晶顯示儀ITO和高能堿性電池鋅粉及熒光材料等方面。規(guī)格：氧化銦為黃色粉末狀。氧化銦每瓶重1000g±10g?；瘜W(xué)成分：（Q指企業(yè)標(biāo)準(zhǔn)）

鎵與銦、鉈、錫、鉍、鋅等可在3℃—65℃之間組成一系列低熔合金，用于溫度測(cè)控、儀表中的代汞物、珠定業(yè)作中支撐物、金屬涂層、電子工業(yè)及核工業(yè)的冷卻回路。氮化鎵含25%銦的鎵合金為低熔點(diǎn)合金，在16℃時(shí)便熔化，可用于自動(dòng)滅火裝置中。哪里有氮化鎵鎵與銅、鎳、錫、金等可組成冷焊劑，適于難焊接的異型薄壁，金屬間及其與陶瓷間的冷焊接與空洞堵塞。

SiC和GaN相比，β-Ga2O3有望以低成本制造出高耐壓且低損失的功率半導(dǎo)體元件，因而引起了極大關(guān)注。氮化鎵我們一直在致力于利用氧化鎵（Ga2O3）的功率半導(dǎo)體元件（以下簡(jiǎn)稱功率元件）的研發(fā)。Ga2O3與作為新一代功率半導(dǎo)體材料推進(jìn)開發(fā)的SiC和GaN相比，有望以低成本制造出高耐壓且低損失的功率元件。呼和浩特氮化鎵粉末其原因在于材料特性出色，比如帶隙比SiC及GaN大，而且還可利用能夠高品質(zhì)且低成本制造單結(jié)晶的“溶液生長(zhǎng)法”。

氮化鎵作為一種與Ⅲ-Ⅴ化合物半導(dǎo)體材料，因與鍺半導(dǎo)體互為等電子體，卻擁有不同的結(jié)構(gòu)與帶隙，就引起了科學(xué)界對(duì)探索其特性的廣泛興趣。氮化鎵氮化鎵材料擁有良好的電學(xué)特性，相對(duì)于硅、砷化鎵、鍺甚至碳化硅器件，氮化鎵器件可以在更高頻率、更高功率、更高溫度的情況下工作，因而被認(rèn)為是研究短波長(zhǎng)光電子器件以及高溫高頻大功率器件的最優(yōu)選材料。哪里有氮化鎵粉末其也因此被業(yè)界看做是第三代半導(dǎo)體材料的代表。