鎵也被應(yīng)用到太陽能電池的制造中，如砷化鎵三五族太陽能電池，該電池具有良好的耐熱、耐輻射等特性，其光電轉(zhuǎn)換率非常高。氟化鋇最初因為生產(chǎn)、使用成本都非常高，常常被應(yīng)用在航天和軍工領(lǐng)域。但近幾年隨著科技的發(fā)展，金屬鎵太陽能電池的生產(chǎn)和使用成本都在降低，搭配上聚光光學(xué)組件從而使其應(yīng)用領(lǐng)域開始擴大，并且正在以較快的速度普及。CIGS薄膜太陽能電池是第三代太陽能電池，具有生產(chǎn)、安裝、使用成本低，光電轉(zhuǎn)換率高的優(yōu)勢，因而在眾多太陽能電池產(chǎn)品中成為發(fā)展最快的一族。求購氟化鋇雖然世界上已投產(chǎn)或在建的CIGS工廠已超過40多家，但金屬鎵在CIGS的原材料中所占比重僅為5%—10%。隨著CIGS生產(chǎn)規(guī)模的擴大，該行業(yè)對金屬鎵的需求會有明顯增長。

二氧化鍺為四方晶系、六方晶系或無定形體。氟化鋇六方結(jié)晶與β-石英同構(gòu)，鍺為四配位，四方結(jié)晶具有超石英型結(jié)構(gòu)，類似于金紅石，其中鍺為六配位。高壓下，無定形二氧化鍺轉(zhuǎn)變?yōu)榱湮唤Y(jié)構(gòu);隨著壓力降低，二氧化鍺也逐漸變?yōu)樗呐湮坏慕Y(jié)構(gòu)。類金紅石型結(jié)構(gòu)的二氧化鍺在高壓下可轉(zhuǎn)變?yōu)榱硪环N正交晶系氯化鈣型結(jié)構(gòu)。求購氟化鋇二氧化鍺不溶于水和鹽酸，溶于堿液生成鍺酸鹽。 類金紅石型結(jié)構(gòu)的二氧化鍺比六方二氧化鍺更易溶于水，它與水作用時可產(chǎn)生鍺酸。二氧化鍺與鍺粉在1000°C共熱時，可得到一氧化鍺。

氧化鎵（β-Ga2O3）作為繼GaN和SiC之后的下一代超寬禁帶半導(dǎo)體材料，其禁帶寬度約為4.8 eV，理論擊穿場強為8 MV/cm，電子遷移率為300 cm2/Vs，因此β-Ga2O3具有4倍于GaN，10倍于SiC以及3444倍于Si的Baliga技術(shù)指標(biāo)。氟化鋇同時通過熔體法可以獲得低缺陷密度的大尺寸β-Ga2O3襯底，使得β-Ga2O3器件的成本相比于GaN以及SiC器件更低。隨著高鐵、電動汽車以及高壓電網(wǎng)輸電系統(tǒng)的快速發(fā)展，全世界急切的需要具有更高轉(zhuǎn)換效率的高壓大功率電子電力器件。阿拉善盟氟化鋇β-Ga2O3功率器件在與GaN和SiC相同的耐壓情況下，導(dǎo)通電阻更低、功耗更小、更耐高溫、能夠極大地節(jié)約上述高壓器件工作時的電能損失，因此Ga2O3提供了一種更高效更節(jié)能的選擇。

真空鍍膜過程非常復(fù)雜，由于鍍膜原理的不同分為很多種類，僅僅因為都需要高真空度而擁有統(tǒng)名稱。氟化鋇所以對于不同原理的真空鍍膜，影響均勻性的因素也不盡相同。并且均勻性這個概念本身也會隨著鍍膜尺度和薄膜成分而有著不同的意義。氟化鋇廠家化學(xué)組分上的均勻性：就是說在薄膜中，化合物的原子組分會由于尺度過小而很容易的產(chǎn)生不均勻性，SiTiO3薄膜，如果鍍膜過程不科學(xué)，那么實際表面的組分并不是SiTiO3，而可能是其他的比例，鍍的膜并非是想要的膜的化學(xué)成分，這也是真空鍍膜的技術(shù)含量所在。晶格有序度的均勻性：這決定了薄膜是單晶，多晶，非晶，是真空鍍膜技術(shù)中的熱點問題。

SiC和GaN相比，β-Ga2O3有望以低成本制造出高耐壓且低損失的功率半導(dǎo)體元件，因而引起了極大關(guān)注。氟化鋇我們一直在致力于利用氧化鎵（Ga2O3）的功率半導(dǎo)體元件（以下簡稱功率元件）的研發(fā)。Ga2O3與作為新一代功率半導(dǎo)體材料推進開發(fā)的SiC和GaN相比，有望以低成本制造出高耐壓且低損失的功率元件。阿拉善盟氟化鋇廠家其原因在于材料特性出色，比如帶隙比SiC及GaN大，而且還可利用能夠高品質(zhì)且低成本制造單結(jié)晶的“溶液生長法”。