幾年來(lái)，科學(xué)家們也一直致力于研究這種材料氧化鎵（ga2O3）。氧化鍺這種新型半導(dǎo)體的帶隙相對(duì)較大，為4.8電子伏，這意味著在電力電子領(lǐng)域，特別是在高電壓被轉(zhuǎn)換成低電壓的情況下，氧化鎵至少部分地可以超過(guò)當(dāng)前恒星的階段：硅（Si）、碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）。四平求購(gòu)氧化鍺價(jià)格到目前為止，SiC是唯一一種不易產(chǎn)生明顯缺陷的基體，但外延生長(zhǎng)速度相對(duì)較慢。對(duì)于氮化鎵來(lái)說(shuō)，仍然沒(méi)有有效的方法來(lái)生產(chǎn)大體積的合適的單晶。因此，它被沉積到像藍(lán)寶石或硅這樣的外來(lái)基板上，但它們的不同晶格常數(shù)導(dǎo)致了外延過(guò)程中的錯(cuò)位。

對(duì)于不同的濺射材料和基片，參數(shù)需要實(shí)驗(yàn)確定，是各不相同的。求購(gòu)氧化鍺價(jià)格鍍膜設(shè)備的好壞主要在于能否精確控溫，能否保證好的真空度，能否保證好的真空腔清潔度。氧化鍺MBE分子束外沿鍍膜技術(shù)，已經(jīng)比較好的解決了如上所屬的問(wèn)題，但是基本用于實(shí)驗(yàn)研究，工業(yè)生產(chǎn)上比較常用的體式鍍膜機(jī)主要以離子蒸發(fā)鍍膜和磁控濺射鍍膜為主。

真空鍍膜過(guò)程非常復(fù)雜，由于鍍膜原理的不同分為很多種類(lèi)，僅僅因?yàn)槎夹枰哒婵斩榷鴵碛薪y(tǒng)名稱(chēng)。氧化鍺所以對(duì)于不同原理的真空鍍膜，影響均勻性的因素也不盡相同。并且均勻性這個(gè)概念本身也會(huì)隨著鍍膜尺度和薄膜成分而有著不同的意義。氧化鍺價(jià)格化學(xué)組分上的均勻性：就是說(shuō)在薄膜中，化合物的原子組分會(huì)由于尺度過(guò)小而很容易的產(chǎn)生不均勻性，SiTiO3薄膜，如果鍍膜過(guò)程不科學(xué)，那么實(shí)際表面的組分并不是SiTiO3，而可能是其他的比例，鍍的膜并非是想要的膜的化學(xué)成分，這也是真空鍍膜的技術(shù)含量所在。晶格有序度的均勻性：這決定了薄膜是單晶，多晶，非晶，是真空鍍膜技術(shù)中的熱點(diǎn)問(wèn)題。

鎵也被應(yīng)用到太陽(yáng)能電池的制造中，如砷化鎵三五族太陽(yáng)能電池，該電池具有良好的耐熱、耐輻射等特性，其光電轉(zhuǎn)換率非常高。氧化鍺最初因?yàn)樯a(chǎn)、使用成本都非常高，常常被應(yīng)用在航天和軍工領(lǐng)域。但近幾年隨著科技的發(fā)展，金屬鎵太陽(yáng)能電池的生產(chǎn)和使用成本都在降低，搭配上聚光光學(xué)組件從而使其應(yīng)用領(lǐng)域開(kāi)始擴(kuò)大，并且正在以較快的速度普及。CIGS薄膜太陽(yáng)能電池是第三代太陽(yáng)能電池，具有生產(chǎn)、安裝、使用成本低，光電轉(zhuǎn)換率高的優(yōu)勢(shì)，因而在眾多太陽(yáng)能電池產(chǎn)品中成為發(fā)展最快的一族。求購(gòu)氧化鍺雖然世界上已投產(chǎn)或在建的CIGS工廠(chǎng)已超過(guò)40多家，但金屬鎵在CIGS的原材料中所占比重僅為5%—10%。隨著CIGS生產(chǎn)規(guī)模的擴(kuò)大，該行業(yè)對(duì)金屬鎵的需求會(huì)有明顯增長(zhǎng)。

氧化銦的用途：電阻式觸摸屏中經(jīng)常使用的原材料，主要用于熒光屏、玻璃、陶瓷、化學(xué)試劑等。另外，廣泛應(yīng)用于有色玻璃、陶瓷、堿錳電池代汞緩蝕劉、化學(xué)試劑等傳統(tǒng)領(lǐng)域。氧化鍺近年來(lái)大量應(yīng)用于光電行業(yè)等高新技術(shù)領(lǐng)域和軍事領(lǐng)域，特別適用于加工為銦錫氧化物(ITO)靶材，制造透明電極和透明熱反射體材料，用于生產(chǎn)平面液晶顯示器和除霧冰器。四平求購(gòu)氧化鍺價(jià)格氧化銦的貯存方法：保持貯藏器密封、儲(chǔ)存在陰涼、干燥的地方，確保工作間有良好的通風(fēng)或排氣裝置。