鈧在合金中主要起著變質(zhì)和細化晶粒的作用，使生成新相的Al3Sc型而呈現(xiàn)了性能優(yōu)異的特色。納米氧化鎵Al-Sc合金已形成了系列的合金系列，如俄羅斯已達到17種Al-Sc系列，我國也有幾種合金(如Al-Mg-Sc-Zr及Al-Zn-Mg-Sc合金)。這類合金的特性其它材料無法代替，故從發(fā)展上看，其應用發(fā)展及潛力是很大的，可望成為今后的應用大戶。鄂爾多斯納米氧化鎵如俄羅斯已工業(yè)化生產(chǎn)，且用于輕型結(jié)構件發(fā)展較快，我國也正在加快研制和應用，特別是在宇航和航空方面前景最好。

氧化鎵的導熱性能較差，但其禁帶寬度(4.9eV)超過碳化硅(約3.4eV)，氮化鎵(約3.3eV)和硅(1.1eV)的。納米氧化鎵由于禁帶寬度可衡量使電子進入導通狀態(tài)所需的能量。采用寬禁帶材料制成的系統(tǒng)可以比由禁帶較窄材料組成的系統(tǒng)更薄、更輕，并且能應對更高的功率，有望以低成本制造出高耐壓且低損失的功率元件。哪里有納米氧化鎵廠家寬禁帶允許在更高的溫度下操作，從而減少對龐大的冷卻系統(tǒng)的需求。

氧化鍺，具有半導體性質(zhì)。對固體物理和固體電子學的發(fā)展超過重要作用。納米氧化鎵鍺的熔密度5.32克/厘米3，鍺可能性劃歸稀散金屬，鍺化學性質(zhì)穩(wěn)定，常溫下不與空氣或水蒸汽作用，但在600～700℃時，很快生成二氧化鍺。與鹽酸、稀硫酸不起作用。濃硫酸在加熱時，鍺會緩慢溶解。在硝酸、王水中，鍺易溶解。堿溶液與鍺的作用很弱，但熔融的堿在空氣中，能使鍺迅速溶解。鄂爾多斯納米氧化鎵鍺與碳不起作用，所以在石墨坩堝中熔化，不會被碳所污染。鍺有著良好的半導體性質(zhì)，如電子遷移率、空穴遷移率等等。

金屬之間有生成合金的趨向。合金便是不同金屬間的互溶現(xiàn)象。納米氧化鎵一般金屬間構成合金需求很高的溫度。但有些金屬間并非需求高溫，例如水 銀在常溫下就能夠與多種金屬構成合金。鎵也有這種功用，由于家的熔點很低，在30攝氏度就成為了液態(tài)，這種液態(tài)的鎵就能夠與其他金屬生成合金，也便是對其他金屬有溶解的效果，對其他金屬形成腐蝕。納米氧化鎵廠家所以鎵不能裝在金屬容器中。

真空鍍膜過程非常復雜，由于鍍膜原理的不同分為很多種類，僅僅因為都需要高真空度而擁有統(tǒng)名稱。納米氧化鎵所以對于不同原理的真空鍍膜，影響均勻性的因素也不盡相同。并且均勻性這個概念本身也會隨著鍍膜尺度和薄膜成分而有著不同的意義。納米氧化鎵廠家化學組分上的均勻性：就是說在薄膜中，化合物的原子組分會由于尺度過小而很容易的產(chǎn)生不均勻性，SiTiO3薄膜，如果鍍膜過程不科學，那么實際表面的組分并不是SiTiO3，而可能是其他的比例，鍍的膜并非是想要的膜的化學成分，這也是真空鍍膜的技術含量所在。晶格有序度的均勻性：這決定了薄膜是單晶，多晶，非晶，是真空鍍膜技術中的熱點問題。

氮化鎵作為一種與Ⅲ-Ⅴ化合物半導體材料，因與鍺半導體互為等電子體，卻擁有不同的結(jié)構與帶隙，就引起了科學界對探索其特性的廣泛興趣。納米氧化鎵氮化鎵材料擁有良好的電學特性，相對于硅、砷化鎵、鍺甚至碳化硅器件，氮化鎵器件可以在更高頻率、更高功率、更高溫度的情況下工作，因而被認為是研究短波長光電子器件以及高溫高頻大功率器件的最優(yōu)選材料。哪里有納米氧化鎵廠家其也因此被業(yè)界看做是第三代半導體材料的代表。