二氧化鍺為四方晶系、六方晶系或無(wú)定形體。氫氧化銦六方結(jié)晶與β-石英同構(gòu)，鍺為四配位，四方結(jié)晶具有超石英型結(jié)構(gòu)，類似于金紅石，其中鍺為六配位。高壓下，無(wú)定形二氧化鍺轉(zhuǎn)變?yōu)榱湮唤Y(jié)構(gòu);隨著壓力降低，二氧化鍺也逐漸變?yōu)樗呐湮坏慕Y(jié)構(gòu)。類金紅石型結(jié)構(gòu)的二氧化鍺在高壓下可轉(zhuǎn)變?yōu)榱硪环N正交晶系氯化鈣型結(jié)構(gòu)。高純氫氧化銦二氧化鍺不溶于水和鹽酸，溶于堿液生成鍺酸鹽。 類金紅石型結(jié)構(gòu)的二氧化鍺比六方二氧化鍺更易溶于水，它與水作用時(shí)可產(chǎn)生鍺酸。二氧化鍺與鍺粉在1000°C共熱時(shí)，可得到一氧化鍺。

用途：用于制鍺，也用于電子工業(yè)。用作半導(dǎo)體材料。氫氧化銦用作金屬鍺和其他鍺化合物的制取原料、制取聚對(duì)苯二甲酸乙二酯樹脂時(shí)的催化劑以及光譜分析和半導(dǎo)體材料?？梢灾圃旃鈱W(xué)玻璃熒光粉，可作為催化劑用于石油提煉時(shí)轉(zhuǎn)化、去氫、汽油餾份的調(diào)整、彩色膠卷及聚脂纖維生產(chǎn)。氫氧化銦價(jià)格不但如此，二氧化鍺還是聚合反應(yīng)的催化劑，含二氧化鍺的玻璃有較高的折射率和色散性能，可作廣角照相機(jī)和顯微鏡鏡頭，隨著技術(shù)的發(fā)展，二氧化鍺被廣泛用于制作高純金屬鍺、鍺化合物、化工催化劑及醫(yī)藥工業(yè)，PET樹脂、電子器件等。

氧化鈧的化學(xué)式為Sc2O3。性質(zhì)：白色固體。具有稀土倍半氧化物的立方結(jié)構(gòu)。密度3.864.熔點(diǎn)2403℃±20℃。不溶于水，溶于熱酸中。氫氧化銦由鈧鹽熱分解制得?？捎米靼雽?dǎo)體鍍層的蒸鍍材料。制做可變波長(zhǎng)的固體激光器和高清晰度的電視電子槍、金屬鹵化物燈等。由于Sc2O3產(chǎn)品具有獨(dú)特的物化性質(zhì)，故在20世紀(jì)80年代以來(lái)，在許多高新技術(shù)和工業(yè)部門中獲得了較好的應(yīng)用發(fā)展。高純氫氧化銦價(jià)格目前我國(guó)及世界的Sc2O3在合金、電光源、催化劑、激活劑和陶瓷等領(lǐng)域的應(yīng)用狀況敘述于后。

鎵的市場(chǎng)小，很容易受外界的影響，中鋁河南、遵義工廠的開工使鎵的供應(yīng)增加，市場(chǎng)對(duì)后市供應(yīng)可能會(huì)再度過(guò)剩的恐慌情緒對(duì)價(jià)格產(chǎn)生影響，造成鎵的價(jià)格難以維持平穩(wěn)，鎵的進(jìn)行價(jià)格調(diào)整期。氫氧化銦需要指出的是，目前鎵的價(jià)格已經(jīng)接近生產(chǎn)成本線，后續(xù)鎵的生產(chǎn)將進(jìn)入虧本經(jīng)營(yíng)，鎵市場(chǎng)降價(jià)趨勢(shì)的過(guò)早來(lái)臨改變了本年度下游對(duì)市場(chǎng)的預(yù)期，2017年的最后一個(gè)多月，鎵市場(chǎng)將會(huì)進(jìn)入煎熬的調(diào)整期。氫氧化銦價(jià)格下周鎵的市場(chǎng)預(yù)期仍不被看好，將穩(wěn)中有降低。

氫氧化銦屬于銦的延伸產(chǎn)品，為白色沉淀，加熱至低于150℃時(shí)失水，不溶于冷水、氨水，微溶于NaOH，在濃堿中生成M3[In(OH)6]，溶于酸。制法：由銦鹽水溶液中加入氨水或氫氧化堿而得。通化氫氧化銦用途：廣泛應(yīng)用于顯示Chemicalbook器玻璃、陶瓷、化學(xué)試劑、低汞和無(wú)汞電池的添加劑，以及ITO靶材，如太陽(yáng)能電池、液晶顯示材料、低汞和無(wú)汞堿性電池鋅的添加劑等。氫氧化銦隨著電池?zé)o汞化的進(jìn)程，用氫氧化銦取代汞做為電池的添加劑已成為今后電池業(yè)的發(fā)展趨勢(shì)。

對(duì)于濺射類鍍膜：可以簡(jiǎn)單理解為利用電子或高能激光轟擊靶材，并使表面組分以原子團(tuán)或離子形式被濺射出來(lái)，并且終沉積在基片表面，經(jīng)歷成膜過(guò)程，終形成薄膜。氫氧化銦濺射鍍膜又分為很多種，總體看，與蒸發(fā)鍍膜的不同點(diǎn)在于濺射速率將成為主要參數(shù)之。通化氫氧化銦濺射鍍膜中的激光濺射鍍膜pld，組分均勻性容易保持，而原子尺度的厚度均勻性相對(duì)較差(因?yàn)槭敲}沖濺射)，晶向(外沿)生長(zhǎng)的控制也比較般。以pld為例，因素主要有：靶材與基片的晶格匹配程度、鍍膜氛圍(低壓氣體氛圍)、基片溫度、激光器功率、脈沖頻率、濺射時(shí)間。