對(duì)于蒸發(fā)鍍膜：一般是加熱靶材使表面組分以原子團(tuán)或離子形式被蒸發(fā)出來，并且沉降在基片表面，通過成膜過程(散點(diǎn)-島狀結(jié)構(gòu)-迷走結(jié)構(gòu)-層狀生長(zhǎng))形成薄膜。氧化鉍厚度均勻性主要取決于：1、基片材料與靶材的晶格匹配程度；2、基片表面溫度；3、蒸發(fā)功率，速率；4、真空度；5、鍍膜時(shí)間，厚度大小。組分均勻性：蒸發(fā)鍍膜組分均勻性不是很容易保證，具體可以調(diào)控的因素同上，但是由于原理所限，對(duì)于非單組分鍍膜，蒸發(fā)鍍膜的組分均勻性不好。金華氧化鉍晶向均勻性：1、晶格匹配度；2、基片溫度；3、蒸發(fā)速率

鍺粉,常見的微米級(jí)鍺粉和亞納米鍺粉一般都是將金屬鍺錠通過物理破碎的方式加工而成的粉末。氧化鉍鍺粉具有金屬鍺同樣優(yōu)秀的光學(xué)性能和半導(dǎo)體性能。鍺粉按加工設(shè)備分類有真空行星球磨和高能球磨。其中,高能球磨鍺粉能夠達(dá)到亞納米粒徑。高純氧化鉍儲(chǔ)粉主要用于治金、熒光粉,鍺粉還可以用于鍺半導(dǎo)體器件,如鍺二極管、品體三極管及復(fù)合晶體管、鍺半導(dǎo)體光電器件作光電鍺粉用于霍耳及壓阻效應(yīng)的傳感器,作光電導(dǎo)效應(yīng)的放射線檢測(cè)器等,廣泛用于彩電、電腦、電話及高頻設(shè)備中。

氧化鎵（β-Ga2O3）作為繼GaN和SiC之后的下一代超寬禁帶半導(dǎo)體材料，其禁帶寬度約為4.8 eV，理論擊穿場(chǎng)強(qiáng)為8 MV/cm，電子遷移率為300 cm2/Vs，因此β-Ga2O3具有4倍于GaN，10倍于SiC以及3444倍于Si的Baliga技術(shù)指標(biāo)。氧化鉍同時(shí)通過熔體法可以獲得低缺陷密度的大尺寸β-Ga2O3襯底，使得β-Ga2O3器件的成本相比于GaN以及SiC器件更低。隨著高鐵、電動(dòng)汽車以及高壓電網(wǎng)輸電系統(tǒng)的快速發(fā)展，全世界急切的需要具有更高轉(zhuǎn)換效率的高壓大功率電子電力器件。金華氧化鉍β-Ga2O3功率器件在與GaN和SiC相同的耐壓情況下，導(dǎo)通電阻更低、功耗更小、更耐高溫、能夠極大地節(jié)約上述高壓器件工作時(shí)的電能損失，因此Ga2O3提供了一種更高效更節(jié)能的選擇。

鎵也被應(yīng)用到太陽(yáng)能電池的制造中，如砷化鎵三五族太陽(yáng)能電池，該電池具有良好的耐熱、耐輻射等特性，其光電轉(zhuǎn)換率非常高。氧化鉍最初因?yàn)樯a(chǎn)、使用成本都非常高，常常被應(yīng)用在航天和軍工領(lǐng)域。但近幾年隨著科技的發(fā)展，金屬鎵太陽(yáng)能電池的生產(chǎn)和使用成本都在降低，搭配上聚光光學(xué)組件從而使其應(yīng)用領(lǐng)域開始擴(kuò)大，并且正在以較快的速度普及。CIGS薄膜太陽(yáng)能電池是第三代太陽(yáng)能電池，具有生產(chǎn)、安裝、使用成本低，光電轉(zhuǎn)換率高的優(yōu)勢(shì)，因而在眾多太陽(yáng)能電池產(chǎn)品中成為發(fā)展最快的一族。高純氧化鉍雖然世界上已投產(chǎn)或在建的CIGS工廠已超過40多家，但金屬鎵在CIGS的原材料中所占比重僅為5%—10%。隨著CIGS生產(chǎn)規(guī)模的擴(kuò)大，該行業(yè)對(duì)金屬鎵的需求會(huì)有明顯增長(zhǎng)。

生產(chǎn)工藝技術(shù)及設(shè)備經(jīng)過多年來的研究和生產(chǎn)實(shí)踐后，目前從含鈧原料中提取Sc2O3的工藝技術(shù)有下列幾種方法：①萃取法。氧化鉍生產(chǎn)中使用較多,其具有產(chǎn)量大、質(zhì)量好、回收率高、成本低及生產(chǎn)中可連續(xù)作業(yè)的特點(diǎn)。②離子交換法。生產(chǎn)中也常被采用。其具有產(chǎn)量小，純度較高，收率較低，成本較高及生產(chǎn)周期長(zhǎng)的特點(diǎn)。③萃淋樹脂色層法。其具有生產(chǎn)周期短，純度高，收率高和成本低的特點(diǎn)。④液膜萃取法。高純氧化鉍它是膜分離與液液萃取相結(jié)合的一種新型分離技術(shù)。