氮化鎵作為一種與Ⅲ-Ⅴ化合物半導(dǎo)體材料，因與鍺半導(dǎo)體互為等電子體，卻擁有不同的結(jié)構(gòu)與帶隙，就引起了科學(xué)界對探索其特性的廣泛興趣。金屬鈧粉氮化鎵材料擁有良好的電學(xué)特性，相對于硅、砷化鎵、鍺甚至碳化硅器件，氮化鎵器件可以在更高頻率、更高功率、更高溫度的情況下工作，因而被認(rèn)為是研究短波長光電子器件以及高溫高頻大功率器件的最優(yōu)選材料。哪里有金屬鈧粉粉末其也因此被業(yè)界看做是第三代半導(dǎo)體材料的代表。

鎵與銦、鉈、錫、鉍、鋅等可在3℃—65℃之間組成一系列低熔合金，用于溫度測控、儀表中的代汞物、珠定業(yè)作中支撐物、金屬涂層、電子工業(yè)及核工業(yè)的冷卻回路。金屬鈧粉含25%銦的鎵合金為低熔點(diǎn)合金，在16℃時便熔化，可用于自動滅火裝置中。哪里有金屬鈧粉鎵與銅、鎳、錫、金等可組成冷焊劑，適于難焊接的異型薄壁，金屬間及其與陶瓷間的冷焊接與空洞堵塞。

對于蒸發(fā)鍍膜：一般是加熱靶材使表面組分以原子團(tuán)或離子形式被蒸發(fā)出來，并且沉降在基片表面，通過成膜過程(散點(diǎn)-島狀結(jié)構(gòu)-迷走結(jié)構(gòu)-層狀生長)形成薄膜。金屬鈧粉厚度均勻性主要取決于：1、基片材料與靶材的晶格匹配程度；2、基片表面溫度；3、蒸發(fā)功率，速率；4、真空度；5、鍍膜時間，厚度大小。組分均勻性：蒸發(fā)鍍膜組分均勻性不是很容易保證，具體可以調(diào)控的因素同上，但是由于原理所限，對于非單組分鍍膜，蒸發(fā)鍍膜的組分均勻性不好。晉城金屬鈧粉晶向均勻性：1、晶格匹配度；2、基片溫度；3、蒸發(fā)速率

金屬之間有生成合金的趨向。合金便是不同金屬間的互溶現(xiàn)象。金屬鈧粉一般金屬間構(gòu)成合金需求很高的溫度。但有些金屬間并非需求高溫，例如水 銀在常溫下就能夠與多種金屬構(gòu)成合金。鎵也有這種功用，由于家的熔點(diǎn)很低，在30攝氏度就成為了液態(tài)，這種液態(tài)的鎵就能夠與其他金屬生成合金，也便是對其他金屬有溶解的效果，對其他金屬形成腐蝕。金屬鈧粉粉末所以鎵不能裝在金屬容器中。