銦是一種很軟的、帶藍色色調(diào)的有銀白色金屬光澤的金屬。氧化鍺銦比鉛還軟，即使在液態(tài)氮的溫度下；用指甲可以輕易地留下劃痕，銦也能在和其他金屬摩擦的時候附著到其他金屬上去。氧化鍺廠家銦的揮發(fā)性比鋅和鎘的小，但在氫氣或真空中能夠升華。銦及其化合物對人體沒有明顯的危害，但應避免它們和身體破傷的部位接觸。銦能形成+1、+2和+3價的化合物，其中主要為+3價的銦化合物，如In2O3、InCl3、InN等。銦粉主要用于太陽能電池導電漿，補牙材料，以及用作透明電極（ITO膜）、電子工業(yè)中焊料、低熔合金、高性能發(fā)動機的軸承、低溫和真空領(lǐng)域作密封件等。

對于不同的濺射材料和基片，參數(shù)需要實驗確定，是各不相同的。高純氧化鍺廠家鍍膜設(shè)備的好壞主要在于能否精確控溫，能否保證好的真空度，能否保證好的真空腔清潔度。氧化鍺MBE分子束外沿鍍膜技術(shù)，已經(jīng)比較好的解決了如上所屬的問題，但是基本用于實驗研究，工業(yè)生產(chǎn)上比較常用的體式鍍膜機主要以離子蒸發(fā)鍍膜和磁控濺射鍍膜為主。

目前，以碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)為代表的第三代化合物半導體受到的關(guān)注度越來越高，它們在未來的大功率、高溫、高壓應用場合將發(fā)揮傳統(tǒng)的硅器件無法實現(xiàn)的作用。氧化鍺特別是在未來三大新興應用領(lǐng)域(汽車、5G和物聯(lián)網(wǎng))之一的汽車方面，會有非常廣闊的發(fā)展前景。氧化鎵是一種寬禁帶半導體，禁帶寬度Eg=4.9eV，其導電性能和發(fā)光特性良好，因此，其在光電子器件方面有廣闊的應用前景，被用作于Ga基半導體材料的絕緣層，以及紫外線濾光片。氧化鍺廠家這些是氧化鎵的傳統(tǒng)應用領(lǐng)域，而其在未來的功率、特別是大功率應用場景才是更值得期待的。

金屬鈧比起釔和鑭系元素來，由于離子半徑特別小，氫氧化物的堿性也特別弱，因此，鈧和稀土元素混在一起時，用氨（或極稀的堿）處理，鈧將首先析出，故應用“分級沉淀”法可比較容易地把它從稀土元素中分離出來。氧化鍺另一種方法是利用硝酸鹽的分極分解進行分離，由于硝酸鈧?cè)菀追纸?，從而達到分離的目的。氧化鍺廠家用電解的方法可制得金屬鈧，在煉鈧時將ScCl3、KCl、LiCl共熔，以熔融的鋅為陰極電解之，使鈧在鋅極上析出，然后將鋅蒸去可得金屬鈧。