氧化鎵（β-Ga2O3）作為繼GaN和SiC之后的下一代超寬禁帶半導(dǎo)體材料，其禁帶寬度約為4.8 eV，理論擊穿場(chǎng)強(qiáng)為8 MV/cm，電子遷移率為300 cm2/Vs，因此β-Ga2O3具有4倍于GaN，10倍于SiC以及3444倍于Si的Baliga技術(shù)指標(biāo)。硫酸鎵同時(shí)通過(guò)熔體法可以獲得低缺陷密度的大尺寸β-Ga2O3襯底，使得β-Ga2O3器件的成本相比于GaN以及SiC器件更低。隨著高鐵、電動(dòng)汽車以及高壓電網(wǎng)輸電系統(tǒng)的快速發(fā)展，全世界急切的需要具有更高轉(zhuǎn)換效率的高壓大功率電子電力器件。淮安硫酸鎵β-Ga2O3功率器件在與GaN和SiC相同的耐壓情況下，導(dǎo)通電阻更低、功耗更小、更耐高溫、能夠極大地節(jié)約上述高壓器件工作時(shí)的電能損失，因此Ga2O3提供了一種更高效更節(jié)能的選擇。

幾年來(lái)，科學(xué)家們也一直致力于研究這種材料氧化鎵（ga2O3）。硫酸鎵這種新型半導(dǎo)體的帶隙相對(duì)較大，為4.8電子伏，這意味著在電力電子領(lǐng)域，特別是在高電壓被轉(zhuǎn)換成低電壓的情況下，氧化鎵至少部分地可以超過(guò)當(dāng)前恒星的階段：硅（Si）、碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）。淮安高純硫酸鎵粉末到目前為止，SiC是唯一一種不易產(chǎn)生明顯缺陷的基體，但外延生長(zhǎng)速度相對(duì)較慢。對(duì)于氮化鎵來(lái)說(shuō)，仍然沒(méi)有有效的方法來(lái)生產(chǎn)大體積的合適的單晶。因此，它被沉積到像藍(lán)寶石或硅這樣的外來(lái)基板上，但它們的不同晶格常數(shù)導(dǎo)致了外延過(guò)程中的錯(cuò)位。

氮化鎵作為一種與Ⅲ-Ⅴ化合物半導(dǎo)體材料，因與鍺半導(dǎo)體互為等電子體，卻擁有不同的結(jié)構(gòu)與帶隙，就引起了科學(xué)界對(duì)探索其特性的廣泛興趣。硫酸鎵氮化鎵材料擁有良好的電學(xué)特性，相對(duì)于硅、砷化鎵、鍺甚至碳化硅器件，氮化鎵器件可以在更高頻率、更高功率、更高溫度的情況下工作，因而被認(rèn)為是研究短波長(zhǎng)光電子器件以及高溫高頻大功率器件的最優(yōu)選材料。高純硫酸鎵粉末其也因此被業(yè)界看做是第三代半導(dǎo)體材料的代表。

氟化鎵:白色結(jié)晶粉末。六方晶結(jié)構(gòu)。硫酸鎵易溶于稀鹽酸。具強(qiáng)腐蝕性，可以腐蝕玻璃、石英，晶體結(jié)構(gòu)為離子晶體。物化性質(zhì):白色結(jié)晶粉末。六方晶結(jié)構(gòu)。密度4.47g/cm3。熔點(diǎn)約1000℃。在氮?dú)饬髦屑s800℃下升華而不分解。微溶于水和烯酸中，能溶于氫氟酸中。由六氟鎵酸銨熱分解制取。三水合物易溶于稀鹽酸。具強(qiáng)腐蝕性，可以腐蝕玻璃、石英。高純硫酸鎵粉末氟化鎵是一種無(wú)機(jī)化合物。這種白色固體的熔點(diǎn)超過(guò)1000°C，但是在950°C左右就會(huì)升華。它具有FeF3型結(jié)構(gòu)，鎵原子為6配位。

用純Sc2O3≥ 99.9%加入于釓鎵石榴石(GGG)可制成釓鎵鈧石榴石(GGSG)，其構(gòu)成為Gd3Sc2Ga3O12型式。硫酸鎵由它做成的第三代激光器所發(fā)出的發(fā)射功率比同體積的激光器提高3.0倍，已達(dá)到了大功率化和小型化的激光裝置，提高了激光振蕩輸出功率，改進(jìn)了激光器的使用性能。在制備單晶時(shí)，每爐料3kg～ 5kg,加入Sc2O3≥ 99.9%原料為1.0kg左右。硫酸鎵粉末目前這種激光器在軍工技術(shù)上的應(yīng)用日益廣泛，也逐步推向民用工業(yè)。從發(fā)展看，今后在軍用和民用的潛力較大。