對于濺射類鍍膜：可以簡單理解為利用電子或高能激光轟擊靶材，并使表面組分以原子團或離子形式被濺射出來，并且終沉積在基片表面，經歷成膜過程，終形成薄膜。納米氧化鎵濺射鍍膜又分為很多種，總體看，與蒸發(fā)鍍膜的不同點在于濺射速率將成為主要參數(shù)之。邢臺納米氧化鎵濺射鍍膜中的激光濺射鍍膜pld，組分均勻性容易保持，而原子尺度的厚度均勻性相對較差(因為是脈沖濺射)，晶向(外沿)生長的控制也比較般。以pld為例，因素主要有：靶材與基片的晶格匹配程度、鍍膜氛圍(低壓氣體氛圍)、基片溫度、激光器功率、脈沖頻率、濺射時間。

SiC和GaN相比，β-Ga2O3有望以低成本制造出高耐壓且低損失的功率半導體元件，因而引起了極大關注。納米氧化鎵我們一直在致力于利用氧化鎵（Ga2O3）的功率半導體元件（以下簡稱功率元件）的研發(fā)。Ga2O3與作為新一代功率半導體材料推進開發(fā)的SiC和GaN相比，有望以低成本制造出高耐壓且低損失的功率元件。邢臺納米氧化鎵粉末其原因在于材料特性出色，比如帶隙比SiC及GaN大，而且還可利用能夠高品質且低成本制造單結晶的“溶液生長法”。

目前，以碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)為代表的第三代化合物半導體受到的關注度越來越高，它們在未來的大功率、高溫、高壓應用場合將發(fā)揮傳統(tǒng)的硅器件無法實現(xiàn)的作用。納米氧化鎵特別是在未來三大新興應用領域(汽車、5G和物聯(lián)網)之一的汽車方面，會有非常廣闊的發(fā)展前景。氧化鎵是一種寬禁帶半導體，禁帶寬度Eg=4.9eV，其導電性能和發(fā)光特性良好，因此，其在光電子器件方面有廣闊的應用前景，被用作于Ga基半導體材料的絕緣層，以及紫外線濾光片。納米氧化鎵粉末這些是氧化鎵的傳統(tǒng)應用領域，而其在未來的功率、特別是大功率應用場景才是更值得期待的。

氧化銦是一種新的n型透明半導體功能材料，具有較寬的禁帶寬度、較小的電阻率和較高的催化活性，在光電領域、氣體傳感器、催化劑方面得到了廣泛應用。納米氧化鎵電阻式觸摸屏中經常使用的原材料，主要用于熒光屏、玻璃、陶瓷、化學試劑等。另外，廣泛應用于有色玻璃、陶瓷、堿錳電池代汞緩蝕劉、化學試劑等傳統(tǒng)領域。哪里有納米氧化鎵粉末近年來大量應用于光電行業(yè)等高新技術領域和軍事領域，特別適用于加工為銦錫氧化物(ITO)靶材，制造透明電極和透明熱反射體材料，用于生產平面液晶顯示器和除霧冰器。

氧化鈧(Sc2O3)是鈧制品中較為重要的產品之一。納米氧化鎵它的物化性質與稀土氧化物(如La2O3,Y2O3和Lu2O3等)相近,故在生產中采用的生產方法極為相似。Sc2O3可生成金屬鈧(Sc)，不同鹽類(ScCl3,ScF3,ScI3,Sc2(C2O4)3等)及多種鈧合金(Al-Sc,Al-Zr-Sc系列)的產物。這些鈧制品具有實用的技術價值及較好的經濟效果。納米氧化鎵粉末由于Sc2O3具有一些特性,所以在鋁合金、電光源、激光、催化劑、激活劑、陶瓷和宇航等方面已有較好的應用，其發(fā)展前景十分廣闊。

氧化鎵的導熱性能較差，但其禁帶寬度(4.9eV)超過碳化硅(約3.4eV)，氮化鎵(約3.3eV)和硅(1.1eV)的。納米氧化鎵由于禁帶寬度可衡量使電子進入導通狀態(tài)所需的能量。采用寬禁帶材料制成的系統(tǒng)可以比由禁帶較窄材料組成的系統(tǒng)更薄、更輕，并且能應對更高的功率，有望以低成本制造出高耐壓且低損失的功率元件。哪里有納米氧化鎵粉末寬禁帶允許在更高的溫度下操作，從而減少對龐大的冷卻系統(tǒng)的需求。