極易溶于水，稍溶于乙醇和乙醚。在空氣中強(qiáng)烈吸濕。氧化鈧將金屬銦與鹽酸（滴入少量H2O2）反應(yīng)，濃縮溶液時(shí)可得InCl3·4H2O，為無(wú)色結(jié)晶。56℃溶于自身的結(jié)晶水。在空氣中加熱將失去HCl，最終產(chǎn)物為In2O3而不能得無(wú)水的InCl3。無(wú)水的InCl3通常用金屬銦和干燥的氯氣在150~300℃直接反應(yīng)制得；或用三氧化二銦（In2O3）和硫酰氯（SOCl2）反應(yīng)，三氯化銦以純品升華出來(lái)。高純氧化鈧廠(chǎng)家三氯化銦稀水溶液噴撒在飼料上用作羊毛生長(zhǎng)促進(jìn)劑。也還有一氯化銦(InCl)和二氯化銦存在，前者由金屬銦與氯化汞(HgCl2)在325℃反應(yīng)制得，后者用三氯化銦與金屬銦反應(yīng)制得。二者不穩(wěn)定，遇水分解。所以根據(jù)以上所述氧化銦是無(wú)毒的。

銦是一種很軟的、帶藍(lán)色色調(diào)的有銀白色金屬光澤的金屬。氧化鈧銦比鉛還軟，即使在液態(tài)氮的溫度下；用指甲可以輕易地留下劃痕，銦也能在和其他金屬摩擦的時(shí)候附著到其他金屬上去。氧化鈧廠(chǎng)家銦的揮發(fā)性比鋅和鎘的小，但在氫氣或真空中能夠升華。銦及其化合物對(duì)人體沒(méi)有明顯的危害，但應(yīng)避免它們和身體破傷的部位接觸。銦能形成+1、+2和+3價(jià)的化合物，其中主要為+3價(jià)的銦化合物，如In2O3、InCl3、InN等。銦粉主要用于太陽(yáng)能電池導(dǎo)電漿，補(bǔ)牙材料，以及用作透明電極（ITO膜）、電子工業(yè)中焊料、低熔合金、高性能發(fā)動(dòng)機(jī)的軸承、低溫和真空領(lǐng)域作密封件等。

幾年來(lái)，科學(xué)家們也一直致力于研究這種材料氧化鎵（ga2O3）。氧化鈧這種新型半導(dǎo)體的帶隙相對(duì)較大，為4.8電子伏，這意味著在電力電子領(lǐng)域，特別是在高電壓被轉(zhuǎn)換成低電壓的情況下，氧化鎵至少部分地可以超過(guò)當(dāng)前恒星的階段：硅（Si）、碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）。丹東高純氧化鈧廠(chǎng)家到目前為止，SiC是唯一一種不易產(chǎn)生明顯缺陷的基體，但外延生長(zhǎng)速度相對(duì)較慢。對(duì)于氮化鎵來(lái)說(shuō)，仍然沒(méi)有有效的方法來(lái)生產(chǎn)大體積的合適的單晶。因此，它被沉積到像藍(lán)寶石或硅這樣的外來(lái)基板上，但它們的不同晶格常數(shù)導(dǎo)致了外延過(guò)程中的錯(cuò)位。

氧化銦是一種新的n型透明半導(dǎo)體功能材料，具有較寬的禁帶寬度、較小的電阻率和較高的催化活性，在光電領(lǐng)域、氣體傳感器、催化劑方面得到了廣泛應(yīng)用。氧化鈧電阻式觸摸屏中經(jīng)常使用的原材料，主要用于熒光屏、玻璃、陶瓷、化學(xué)試劑等。另外，廣泛應(yīng)用于有色玻璃、陶瓷、堿錳電池代汞緩蝕劉、化學(xué)試劑等傳統(tǒng)領(lǐng)域。高純氧化鈧廠(chǎng)家近年來(lái)大量應(yīng)用于光電行業(yè)等高新技術(shù)領(lǐng)域和軍事領(lǐng)域，特別適用于加工為銦錫氧化物(ITO)靶材，制造透明電極和透明熱反射體材料，用于生產(chǎn)平面液晶顯示器和除霧冰器。