鎵的市場小，很容易受外界的影響，中鋁河南、遵義工廠的開工使鎵的供應(yīng)增加，市場對后市供應(yīng)可能會再度過剩的恐慌情緒對價格產(chǎn)生影響，造成鎵的價格難以維持平穩(wěn)，鎵的進行價格調(diào)整期。氮化鎵需要指出的是，目前鎵的價格已經(jīng)接近生產(chǎn)成本線，后續(xù)鎵的生產(chǎn)將進入虧本經(jīng)營，鎵市場降價趨勢的過早來臨改變了本年度下游對市場的預(yù)期，2017年的最后一個多月，鎵市場將會進入煎熬的調(diào)整期。氮化鎵廠家下周鎵的市場預(yù)期仍不被看好，將穩(wěn)中有降低。

氧化鍺，具有半導(dǎo)體性質(zhì)。對固體物理和固體電子學(xué)的發(fā)展超過重要作用。氮化鎵鍺的熔密度5.32克/厘米3，鍺可能性劃歸稀散金屬，鍺化學(xué)性質(zhì)穩(wěn)定，常溫下不與空氣或水蒸汽作用，但在600～700℃時，很快生成二氧化鍺。與鹽酸、稀硫酸不起作用。濃硫酸在加熱時，鍺會緩慢溶解。在硝酸、王水中，鍺易溶解。堿溶液與鍺的作用很弱，但熔融的堿在空氣中，能使鍺迅速溶解。朔州氮化鎵鍺與碳不起作用，所以在石墨坩堝中熔化，不會被碳所污染。鍺有著良好的半導(dǎo)體性質(zhì)，如電子遷移率、空穴遷移率等等。

氧化鎵的導(dǎo)熱性能較差，但其禁帶寬度(4.9eV)超過碳化硅(約3.4eV)，氮化鎵(約3.3eV)和硅(1.1eV)的。氮化鎵由于禁帶寬度可衡量使電子進入導(dǎo)通狀態(tài)所需的能量。采用寬禁帶材料制成的系統(tǒng)可以比由禁帶較窄材料組成的系統(tǒng)更薄、更輕，并且能應(yīng)對更高的功率，有望以低成本制造出高耐壓且低損失的功率元件。高純氮化鎵廠家寬禁帶允許在更高的溫度下操作，從而減少對龐大的冷卻系統(tǒng)的需求。

對于濺射類鍍膜：可以簡單理解為利用電子或高能激光轟擊靶材，并使表面組分以原子團或離子形式被濺射出來，并且終沉積在基片表面，經(jīng)歷成膜過程，終形成薄膜。氮化鎵濺射鍍膜又分為很多種，總體看，與蒸發(fā)鍍膜的不同點在于濺射速率將成為主要參數(shù)之。朔州氮化鎵濺射鍍膜中的激光濺射鍍膜pld，組分均勻性容易保持，而原子尺度的厚度均勻性相對較差(因為是脈沖濺射)，晶向(外沿)生長的控制也比較般。以pld為例，因素主要有：靶材與基片的晶格匹配程度、鍍膜氛圍(低壓氣體氛圍)、基片溫度、激光器功率、脈沖頻率、濺射時間。

SiC和GaN相比，β-Ga2O3有望以低成本制造出高耐壓且低損失的功率半導(dǎo)體元件，因而引起了極大關(guān)注。氮化鎵我們一直在致力于利用氧化鎵（Ga2O3）的功率半導(dǎo)體元件（以下簡稱功率元件）的研發(fā)。Ga2O3與作為新一代功率半導(dǎo)體材料推進開發(fā)的SiC和GaN相比，有望以低成本制造出高耐壓且低損失的功率元件。朔州氮化鎵廠家其原因在于材料特性出色，比如帶隙比SiC及GaN大，而且還可利用能夠高品質(zhì)且低成本制造單結(jié)晶的“溶液生長法”。