幾年來(lái)，科學(xué)家們也一直致力于研究這種材料氧化鎵（ga2O3）。氧化鉍這種新型半導(dǎo)體的帶隙相對(duì)較大，為4.8電子伏，這意味著在電力電子領(lǐng)域，特別是在高電壓被轉(zhuǎn)換成低電壓的情況下，氧化鎵至少部分地可以超過(guò)當(dāng)前恒星的階段：硅（Si）、碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）。通遼哪里有氧化鉍價(jià)格到目前為止，SiC是唯一一種不易產(chǎn)生明顯缺陷的基體，但外延生長(zhǎng)速度相對(duì)較慢。對(duì)于氮化鎵來(lái)說(shuō)，仍然沒(méi)有有效的方法來(lái)生產(chǎn)大體積的合適的單晶。因此，它被沉積到像藍(lán)寶石或硅這樣的外來(lái)基板上，但它們的不同晶格常數(shù)導(dǎo)致了外延過(guò)程中的錯(cuò)位。

SiC和GaN相比，β-Ga2O3有望以低成本制造出高耐壓且低損失的功率半導(dǎo)體元件，因而引起了極大關(guān)注。氧化鉍我們一直在致力于利用氧化鎵（Ga2O3）的功率半導(dǎo)體元件（以下簡(jiǎn)稱功率元件）的研發(fā)。Ga2O3與作為新一代功率半導(dǎo)體材料推進(jìn)開(kāi)發(fā)的SiC和GaN相比，有望以低成本制造出高耐壓且低損失的功率元件。通遼氧化鉍價(jià)格其原因在于材料特性出色，比如帶隙比SiC及GaN大，而且還可利用能夠高品質(zhì)且低成本制造單結(jié)晶的“溶液生長(zhǎng)法”。

鍺是一種銀白色金屬，主要用于半導(dǎo)體工業(yè)，制造晶體管、二極管和電子高能原料，制造金屬增加合金硬度，還用于醫(yī)藥工業(yè)。氧化鉍鍺及其化合物屬低毒、鍺吸收排泄迅速，經(jīng)肝腎從尿中排出，肝臟和腎臟僅有微量鍺。通遼氧化鉍動(dòng)物實(shí)驗(yàn)給二氧化鍺10ug/g飼料14周，未產(chǎn)生明顯毒性作用，相反可刺激動(dòng)物生長(zhǎng)，當(dāng)給以1000ug/g的飼料則抑制動(dòng)物生長(zhǎng)，4周后有50%動(dòng)物死亡，尸檢發(fā)現(xiàn)肺氣腫、肝腫大、腎小管變性和壞死。經(jīng)過(guò)調(diào)查半導(dǎo)體工廠和鍺廠，目前尚未鍺及化合物引起職業(yè)中毒。

氧化銦的用途：電阻式觸摸屏中經(jīng)常使用的原材料，主要用于熒光屏、玻璃、陶瓷、化學(xué)試劑等。另外，廣泛應(yīng)用于有色玻璃、陶瓷、堿錳電池代汞緩蝕劉、化學(xué)試劑等傳統(tǒng)領(lǐng)域。氧化鉍近年來(lái)大量應(yīng)用于光電行業(yè)等高新技術(shù)領(lǐng)域和軍事領(lǐng)域，特別適用于加工為銦錫氧化物(ITO)靶材，制造透明電極和透明熱反射體材料，用于生產(chǎn)平面液晶顯示器和除霧冰器。通遼哪里有氧化鉍價(jià)格氧化銦的貯存方法：保持貯藏器密封、儲(chǔ)存在陰涼、干燥的地方，確保工作間有良好的通風(fēng)或排氣裝置。

對(duì)于蒸發(fā)鍍膜：一般是加熱靶材使表面組分以原子團(tuán)或離子形式被蒸發(fā)出來(lái)，并且沉降在基片表面，通過(guò)成膜過(guò)程(散點(diǎn)-島狀結(jié)構(gòu)-迷走結(jié)構(gòu)-層狀生長(zhǎng))形成薄膜。氧化鉍厚度均勻性主要取決于：1、基片材料與靶材的晶格匹配程度；2、基片表面溫度；3、蒸發(fā)功率，速率；4、真空度；5、鍍膜時(shí)間，厚度大小。組分均勻性：蒸發(fā)鍍膜組分均勻性不是很容易保證，具體可以調(diào)控的因素同上，但是由于原理所限，對(duì)于非單組分鍍膜，蒸發(fā)鍍膜的組分均勻性不好。通遼氧化鉍晶向均勻性：1、晶格匹配度；2、基片溫度；3、蒸發(fā)速率

鍺粉,常見(jiàn)的微米級(jí)鍺粉和亞納米鍺粉一般都是將金屬鍺錠通過(guò)物理破碎的方式加工而成的粉末。氧化鉍鍺粉具有金屬鍺同樣優(yōu)秀的光學(xué)性能和半導(dǎo)體性能。鍺粉按加工設(shè)備分類有真空行星球磨和高能球磨。其中,高能球磨鍺粉能夠達(dá)到亞納米粒徑。哪里有氧化鉍儲(chǔ)粉主要用于治金、熒光粉,鍺粉還可以用于鍺半導(dǎo)體器件,如鍺二極管、品體三極管及復(fù)合晶體管、鍺半導(dǎo)體光電器件作光電鍺粉用于霍耳及壓阻效應(yīng)的傳感器,作光電導(dǎo)效應(yīng)的放射線檢測(cè)器等,廣泛用于彩電、電腦、電話及高頻設(shè)備中。