氧化銦是一種新的n型透明半導(dǎo)體功能材料，具有較寬的禁帶寬度、較小的電阻率和較高的催化活性，在光電領(lǐng)域、氣體傳感器、催化劑方面得到了廣泛應(yīng)用。氟化銦而氧化銦顆粒尺寸達(dá)納米級別時除具有以上功能外，還具備了納米材料的表面效應(yīng)、量子尺寸效應(yīng)、小尺寸效應(yīng)和宏觀量子隧道效應(yīng)等。哪里有氟化銦分子式：In2O3，分子量277.62。用途：主要應(yīng)用于生產(chǎn)液晶顯示儀ITO和高能堿性電池鋅粉及熒光材料等方面。規(guī)格：氧化銦為黃色粉末狀。氧化銦每瓶重1000g±10g?；瘜W(xué)成分：（Q指企業(yè)標(biāo)準(zhǔn)）

幾年來，科學(xué)家們也一直致力于研究這種材料氧化鎵（ga2O3）。氟化銦這種新型半導(dǎo)體的帶隙相對較大，為4.8電子伏，這意味著在電力電子領(lǐng)域，特別是在高電壓被轉(zhuǎn)換成低電壓的情況下，氧化鎵至少部分地可以超過當(dāng)前恒星的階段：硅（Si）、碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）。山西哪里有氟化銦廠家到目前為止，SiC是唯一一種不易產(chǎn)生明顯缺陷的基體，但外延生長速度相對較慢。對于氮化鎵來說，仍然沒有有效的方法來生產(chǎn)大體積的合適的單晶。因此，它被沉積到像藍(lán)寶石或硅這樣的外來基板上，但它們的不同晶格常數(shù)導(dǎo)致了外延過程中的錯位。

氧化鎵是一種新興的功率半導(dǎo)體材料，其禁帶寬度大于硅，氮化鎵和碳化硅，在高功率應(yīng)用領(lǐng)域的應(yīng)用優(yōu)勢愈加明顯。氟化銦但氧化鎵不會取代SiC和GaN，后兩者是硅之后的下一代主要半導(dǎo)體材料。氟化銦廠家氧化鎵更有可能在擴展超寬禁帶系統(tǒng)可用的功率和電壓范圍方面發(fā)揮作用。而最有希望的應(yīng)用可能是電力調(diào)節(jié)和配電系統(tǒng)中的高壓整流器，如電動汽車和光伏太陽能系統(tǒng)。但是，在成為電力電子產(chǎn)品的主要競爭者之前，氧化鎵仍需要開展更多的研發(fā)和推進(jìn)工作，以克服自身的不足。

鎵與銦、鉈、錫、鉍、鋅等可在3℃—65℃之間組成一系列低熔合金，用于溫度測控、儀表中的代汞物、珠定業(yè)作中支撐物、金屬涂層、電子工業(yè)及核工業(yè)的冷卻回路。氟化銦含25%銦的鎵合金為低熔點合金，在16℃時便熔化，可用于自動滅火裝置中。哪里有氟化銦鎵與銅、鎳、錫、金等可組成冷焊劑，適于難焊接的異型薄壁，金屬間及其與陶瓷間的冷焊接與空洞堵塞。