對于濺射類鍍膜：可以簡單理解為利用電子或高能激光轟擊靶材，并使表面組分以原子團(tuán)或離子形式被濺射出來，并且終沉積在基片表面，經(jīng)歷成膜過程，終形成薄膜。氧化鍺濺射鍍膜又分為很多種，總體看，與蒸發(fā)鍍膜的不同點(diǎn)在于濺射速率將成為主要參數(shù)之。通遼氧化鍺濺射鍍膜中的激光濺射鍍膜pld，組分均勻性容易保持，而原子尺度的厚度均勻性相對較差(因?yàn)槭敲}沖濺射)，晶向(外沿)生長的控制也比較般。以pld為例，因素主要有：靶材與基片的晶格匹配程度、鍍膜氛圍(低壓氣體氛圍)、基片溫度、激光器功率、脈沖頻率、濺射時(shí)間。

鍺粉,常見的微米級鍺粉和亞納米鍺粉一般都是將金屬鍺錠通過物理破碎的方式加工而成的粉末。氧化鍺鍺粉具有金屬鍺同樣優(yōu)秀的光學(xué)性能和半導(dǎo)體性能。鍺粉按加工設(shè)備分類有真空行星球磨和高能球磨。其中,高能球磨鍺粉能夠達(dá)到亞納米粒徑。高純氧化鍺儲(chǔ)粉主要用于治金、熒光粉,鍺粉還可以用于鍺半導(dǎo)體器件,如鍺二極管、品體三極管及復(fù)合晶體管、鍺半導(dǎo)體光電器件作光電鍺粉用于霍耳及壓阻效應(yīng)的傳感器,作光電導(dǎo)效應(yīng)的放射線檢測器等,廣泛用于彩電、電腦、電話及高頻設(shè)備中。

氮化鎵作為一種與Ⅲ-Ⅴ化合物半導(dǎo)體材料，因與鍺半導(dǎo)體互為等電子體，卻擁有不同的結(jié)構(gòu)與帶隙，就引起了科學(xué)界對探索其特性的廣泛興趣。氧化鍺氮化鎵材料擁有良好的電學(xué)特性，相對于硅、砷化鎵、鍺甚至碳化硅器件，氮化鎵器件可以在更高頻率、更高功率、更高溫度的情況下工作，因而被認(rèn)為是研究短波長光電子器件以及高溫高頻大功率器件的最優(yōu)選材料。高純氧化鍺粉末其也因此被業(yè)界看做是第三代半導(dǎo)體材料的代表。

極易溶于水，稍溶于乙醇和乙醚。在空氣中強(qiáng)烈吸濕。氧化鍺將金屬銦與鹽酸（滴入少量H2O2）反應(yīng)，濃縮溶液時(shí)可得InCl3·4H2O，為無色結(jié)晶。56℃溶于自身的結(jié)晶水。在空氣中加熱將失去HCl，最終產(chǎn)物為In2O3而不能得無水的InCl3。無水的InCl3通常用金屬銦和干燥的氯氣在150~300℃直接反應(yīng)制得；或用三氧化二銦（In2O3）和硫酰氯（SOCl2）反應(yīng)，三氯化銦以純品升華出來。高純氧化鍺粉末三氯化銦稀水溶液噴撒在飼料上用作羊毛生長促進(jìn)劑。也還有一氯化銦(InCl)和二氯化銦存在，前者由金屬銦與氯化汞(HgCl2)在325℃反應(yīng)制得，后者用三氯化銦與金屬銦反應(yīng)制得。二者不穩(wěn)定，遇水分解。所以根據(jù)以上所述氧化銦是無毒的。

鎵的市場小，很容易受外界的影響，中鋁河南、遵義工廠的開工使鎵的供應(yīng)增加，市場對后市供應(yīng)可能會(huì)再度過剩的恐慌情緒對價(jià)格產(chǎn)生影響，造成鎵的價(jià)格難以維持平穩(wěn)，鎵的進(jìn)行價(jià)格調(diào)整期。氧化鍺需要指出的是，目前鎵的價(jià)格已經(jīng)接近生產(chǎn)成本線，后續(xù)鎵的生產(chǎn)將進(jìn)入虧本經(jīng)營，鎵市場降價(jià)趨勢的過早來臨改變了本年度下游對市場的預(yù)期，2017年的最后一個(gè)多月，鎵市場將會(huì)進(jìn)入煎熬的調(diào)整期。氧化鍺粉末下周鎵的市場預(yù)期仍不被看好，將穩(wěn)中有降低。