對于不同的濺射材料和基片，參數(shù)需要實驗確定，是各不相同的。求購金屬鈧粉粉末鍍膜設(shè)備的好壞主要在于能否精確控溫，能否保證好的真空度，能否保證好的真空腔清潔度。金屬鈧粉MBE分子束外沿鍍膜技術(shù)，已經(jīng)比較好的解決了如上所屬的問題，但是基本用于實驗研究，工業(yè)生產(chǎn)上比較常用的體式鍍膜機(jī)主要以離子蒸發(fā)鍍膜和磁控濺射鍍膜為主。

在新型電光源中的應(yīng)用，如鈧-鈉素?zé)?，該燈發(fā)出的光接近太陽光，具有光度高，光色好，節(jié)電能，壽命長，破霧能力強(qiáng)等。金屬鈧粉在激光中的應(yīng)用，在GGG加入鈧后，制成GSGG，發(fā)射功率比同體積的其它激光器提高了三倍，并可達(dá)到大功率化和小型化的要求。在合金中的應(yīng)用：在合金材科中主要用于合金的添加劑和改性劑，在鋁及鋁合金中加入鈧后，可有效提高合金的綜合性能。求購金屬鈧粉粉末如合金的強(qiáng)度、硬度、耐熱性、耐蝕性和焊接性等有明顯提高。在其它領(lǐng)域的應(yīng)用：如在中子過濾材料中加入鈧后，在核燃料過濾時，可防止UO2發(fā)生相變，利于運(yùn)行作業(yè)。如含鈧的陰極用于彩電顯像管內(nèi)，使的電源密度提高4倍，陰極使用壽命增長3倍等。

對于蒸發(fā)鍍膜：一般是加熱靶材使表面組分以原子團(tuán)或離子形式被蒸發(fā)出來，并且沉降在基片表面，通過成膜過程(散點(diǎn)-島狀結(jié)構(gòu)-迷走結(jié)構(gòu)-層狀生長)形成薄膜。金屬鈧粉厚度均勻性主要取決于：1、基片材料與靶材的晶格匹配程度；2、基片表面溫度；3、蒸發(fā)功率，速率；4、真空度；5、鍍膜時間，厚度大小。組分均勻性：蒸發(fā)鍍膜組分均勻性不是很容易保證，具體可以調(diào)控的因素同上，但是由于原理所限，對于非單組分鍍膜，蒸發(fā)鍍膜的組分均勻性不好。嘉興金屬鈧粉晶向均勻性：1、晶格匹配度；2、基片溫度；3、蒸發(fā)速率

極易溶于水，稍溶于乙醇和乙醚。在空氣中強(qiáng)烈吸濕。金屬鈧粉將金屬銦與鹽酸（滴入少量H2O2）反應(yīng)，濃縮溶液時可得InCl3·4H2O，為無色結(jié)晶。56℃溶于自身的結(jié)晶水。在空氣中加熱將失去HCl，最終產(chǎn)物為In2O3而不能得無水的InCl3。無水的InCl3通常用金屬銦和干燥的氯氣在150~300℃直接反應(yīng)制得；或用三氧化二銦（In2O3）和硫酰氯（SOCl2）反應(yīng)，三氯化銦以純品升華出來。求購金屬鈧粉粉末三氯化銦稀水溶液噴撒在飼料上用作羊毛生長促進(jìn)劑。也還有一氯化銦(InCl)和二氯化銦存在，前者由金屬銦與氯化汞(HgCl2)在325℃反應(yīng)制得，后者用三氯化銦與金屬銦反應(yīng)制得。二者不穩(wěn)定，遇水分解。所以根據(jù)以上所述氧化銦是無毒的。

氧化銦的合成方法有哪些？將高純金屬銦在空氣中燃燒或?qū)⑻妓徙熿褵蒊n2O、InO、In2O3，精細(xì)控制還原條件可制得高純In2O3。求購金屬鈧粉粉末也可用噴霧燃燒工藝制得平均粒徑為20nm的三氧化二銦陶瓷粉。將氫氧化銦灼燒制備三氧化二銦時，溫度過高的話，In2O3有熱分解的可能性，若溫度過低則難以完全脫水，而且生成的氧化物具有吸濕性，因此，加熱溫度和時間是重要的因素。另外，因為In2O3容易被還原，所以必須經(jīng)常保持在氧化氣氛中。金屬鈧粉將氫氧化銦在空氣中，于850℃灼燒至恒重，生成In2O3，再在空氣中于1000℃加熱30min。其他硝酸銦、碳酸銦、硫酸銦在空氣中灼燒也可以制得三氧化二銦。