鍺是一種銀白色金屬，主要用于半導(dǎo)體工業(yè)，制造晶體管、二極管和電子高能原料，制造金屬增加合金硬度，還用于醫(yī)藥工業(yè)。氧化鈧鍺及其化合物屬低毒、鍺吸收排泄迅速，經(jīng)肝腎從尿中排出，肝臟和腎臟僅有微量鍺。鐵嶺氧化鈧動物實驗給二氧化鍺10ug/g飼料14周，未產(chǎn)生明顯毒性作用，相反可刺激動物生長，當(dāng)給以1000ug/g的飼料則抑制動物生長，4周后有50%動物死亡，尸檢發(fā)現(xiàn)肺氣腫、肝腫大、腎小管變性和壞死。經(jīng)過調(diào)查半導(dǎo)體工廠和鍺廠，目前尚未鍺及化合物引起職業(yè)中毒。

氧化銦是一種新的n型透明半導(dǎo)體功能材料，具有較寬的禁帶寬度、較小的電阻率和較高的催化活性，在光電領(lǐng)域、氣體傳感器、催化劑方面得到了廣泛應(yīng)用。氧化鈧電阻式觸摸屏中經(jīng)常使用的原材料，主要用于熒光屏、玻璃、陶瓷、化學(xué)試劑等。另外，廣泛應(yīng)用于有色玻璃、陶瓷、堿錳電池代汞緩蝕劉、化學(xué)試劑等傳統(tǒng)領(lǐng)域。高純氧化鈧價格近年來大量應(yīng)用于光電行業(yè)等高新技術(shù)領(lǐng)域和軍事領(lǐng)域，特別適用于加工為銦錫氧化物(ITO)靶材，制造透明電極和透明熱反射體材料，用于生產(chǎn)平面液晶顯示器和除霧冰器。

氧化鎵（β-Ga2O3）作為繼GaN和SiC之后的下一代超寬禁帶半導(dǎo)體材料，其禁帶寬度約為4.8 eV，理論擊穿場強為8 MV/cm，電子遷移率為300 cm2/Vs，因此β-Ga2O3具有4倍于GaN，10倍于SiC以及3444倍于Si的Baliga技術(shù)指標(biāo)。氧化鈧同時通過熔體法可以獲得低缺陷密度的大尺寸β-Ga2O3襯底，使得β-Ga2O3器件的成本相比于GaN以及SiC器件更低。隨著高鐵、電動汽車以及高壓電網(wǎng)輸電系統(tǒng)的快速發(fā)展，全世界急切的需要具有更高轉(zhuǎn)換效率的高壓大功率電子電力器件。鐵嶺氧化鈧β-Ga2O3功率器件在與GaN和SiC相同的耐壓情況下，導(dǎo)通電阻更低、功耗更小、更耐高溫、能夠極大地節(jié)約上述高壓器件工作時的電能損失，因此Ga2O3提供了一種更高效更節(jié)能的選擇。

真空鍍膜過程非常復(fù)雜，由于鍍膜原理的不同分為很多種類，僅僅因為都需要高真空度而擁有統(tǒng)名稱。氧化鈧所以對于不同原理的真空鍍膜，影響均勻性的因素也不盡相同。并且均勻性這個概念本身也會隨著鍍膜尺度和薄膜成分而有著不同的意義。氧化鈧價格化學(xué)組分上的均勻性：就是說在薄膜中，化合物的原子組分會由于尺度過小而很容易的產(chǎn)生不均勻性，SiTiO3薄膜，如果鍍膜過程不科學(xué)，那么實際表面的組分并不是SiTiO3，而可能是其他的比例，鍍的膜并非是想要的膜的化學(xué)成分，這也是真空鍍膜的技術(shù)含量所在。晶格有序度的均勻性：這決定了薄膜是單晶，多晶，非晶，是真空鍍膜技術(shù)中的熱點問題。

氧化鈧(Sc2O3)是鈧制品中較為重要的產(chǎn)品之一。氧化鈧它的物化性質(zhì)與稀土氧化物(如La2O3,Y2O3和Lu2O3等)相近,故在生產(chǎn)中采用的生產(chǎn)方法極為相似。Sc2O3可生成金屬鈧(Sc)，不同鹽類(ScCl3,ScF3,ScI3,Sc2(C2O4)3等)及多種鈧合金(Al-Sc,Al-Zr-Sc系列)的產(chǎn)物。這些鈧制品具有實用的技術(shù)價值及較好的經(jīng)濟效果。氧化鈧價格由于Sc2O3具有一些特性,所以在鋁合金、電光源、激光、催化劑、激活劑、陶瓷和宇航等方面已有較好的應(yīng)用，其發(fā)展前景十分廣闊。