三氧化二鉍純品有α型和β型。α型為黃色單斜晶系結(jié)晶，相對(duì)密度8.9，熔點(diǎn)825 ℃，溶于酸，不溶于水和堿。氮化鎵β型為亮黃色至橙色，正方晶系，相對(duì)密度8.55，熔點(diǎn)860 ℃，溶于酸，不溶于水。容易被氫氣、烴類(lèi)等還原為金屬鉍。氧化鉍用于制備鉍鹽；用作電子陶瓷粉體材料、電解質(zhì)材料、光電材料、高溫超導(dǎo)材料、催化劑。哪里有氮化鎵氧化鉍作為電子陶瓷粉體材料中的重要添加劑，純度一般要求在99.15%以上，主要應(yīng)用對(duì)象有氧化鋅壓敏電阻、陶瓷電容、鐵氧體磁性材料三類(lèi)；以及釉藥橡膠配合劑、醫(yī)藥、紅色玻璃配合劑等方面。

金屬鉍粉主要用于制造易熔合金，熔點(diǎn)范圍是47～262℃，最常用的是鉍同鉛、錫、銻、銦等金屬組成的合金，用于消防裝置、自動(dòng)噴水器、鍋爐的安全塞，一旦發(fā)生火災(zāi)時(shí)，一些水管的活塞會(huì)“自動(dòng)”熔化，噴出水來(lái)。氮化鎵在消防和電氣工業(yè)上，用作自動(dòng)滅火系統(tǒng)和電器保險(xiǎn)絲、焊錫。鉍合金具有凝固時(shí)不收縮的特性，用于鑄造印刷鉛字和高精度鑄型。氮化鎵粉末碳酸氧鉍和硝酸氧鉍用于治療皮膚損傷和腸胃病。用于制低熔合金，在消防和電氣安全裝置上有特殊的重要性，在分析化學(xué)中用于檢測(cè)Mn。鉍可制低熔點(diǎn)合金，用于自動(dòng)關(guān)閉器或活字合金中。

SiC和GaN相比，β-Ga2O3有望以低成本制造出高耐壓且低損失的功率半導(dǎo)體元件，因而引起了極大關(guān)注。氮化鎵我們一直在致力于利用氧化鎵（Ga2O3）的功率半導(dǎo)體元件（以下簡(jiǎn)稱(chēng)功率元件）的研發(fā)。Ga2O3與作為新一代功率半導(dǎo)體材料推進(jìn)開(kāi)發(fā)的SiC和GaN相比，有望以低成本制造出高耐壓且低損失的功率元件。丹東氮化鎵粉末其原因在于材料特性出色，比如帶隙比SiC及GaN大，而且還可利用能夠高品質(zhì)且低成本制造單結(jié)晶的“溶液生長(zhǎng)法”。

氧化鎵的導(dǎo)熱性能較差，但其禁帶寬度(4.9eV)超過(guò)碳化硅(約3.4eV)，氮化鎵(約3.3eV)和硅(1.1eV)的。氮化鎵由于禁帶寬度可衡量使電子進(jìn)入導(dǎo)通狀態(tài)所需的能量。采用寬禁帶材料制成的系統(tǒng)可以比由禁帶較窄材料組成的系統(tǒng)更薄、更輕，并且能應(yīng)對(duì)更高的功率，有望以低成本制造出高耐壓且低損失的功率元件。哪里有氮化鎵粉末寬禁帶允許在更高的溫度下操作，從而減少對(duì)龐大的冷卻系統(tǒng)的需求。

對(duì)于蒸發(fā)鍍膜：一般是加熱靶材使表面組分以原子團(tuán)或離子形式被蒸發(fā)出來(lái)，并且沉降在基片表面，通過(guò)成膜過(guò)程(散點(diǎn)-島狀結(jié)構(gòu)-迷走結(jié)構(gòu)-層狀生長(zhǎng))形成薄膜。氮化鎵厚度均勻性主要取決于：1、基片材料與靶材的晶格匹配程度；2、基片表面溫度；3、蒸發(fā)功率，速率；4、真空度；5、鍍膜時(shí)間，厚度大小。組分均勻性：蒸發(fā)鍍膜組分均勻性不是很容易保證，具體可以調(diào)控的因素同上，但是由于原理所限，對(duì)于非單組分鍍膜，蒸發(fā)鍍膜的組分均勻性不好。丹東氮化鎵晶向均勻性：1、晶格匹配度；2、基片溫度；3、蒸發(fā)速率

鎵的市場(chǎng)小，很容易受外界的影響，中鋁河南、遵義工廠的開(kāi)工使鎵的供應(yīng)增加，市場(chǎng)對(duì)后市供應(yīng)可能會(huì)再度過(guò)剩的恐慌情緒對(duì)價(jià)格產(chǎn)生影響，造成鎵的價(jià)格難以維持平穩(wěn)，鎵的進(jìn)行價(jià)格調(diào)整期。氮化鎵需要指出的是，目前鎵的價(jià)格已經(jīng)接近生產(chǎn)成本線(xiàn)，后續(xù)鎵的生產(chǎn)將進(jìn)入虧本經(jīng)營(yíng)，鎵市場(chǎng)降價(jià)趨勢(shì)的過(guò)早來(lái)臨改變了本年度下游對(duì)市場(chǎng)的預(yù)期，2017年的最后一個(gè)多月，鎵市場(chǎng)將會(huì)進(jìn)入煎熬的調(diào)整期。氮化鎵粉末下周鎵的市場(chǎng)預(yù)期仍不被看好，將穩(wěn)中有降低。