氧化鎵（β-Ga2O3）作為繼GaN和SiC之后的下一代超寬禁帶半導體材料，其禁帶寬度約為4.8 eV，理論擊穿場強為8 MV/cm，電子遷移率為300 cm2/Vs，因此β-Ga2O3具有4倍于GaN，10倍于SiC以及3444倍于Si的Baliga技術(shù)指標。氮化鎵同時通過熔體法可以獲得低缺陷密度的大尺寸β-Ga2O3襯底，使得β-Ga2O3器件的成本相比于GaN以及SiC器件更低。隨著高鐵、電動汽車以及高壓電網(wǎng)輸電系統(tǒng)的快速發(fā)展，全世界急切的需要具有更高轉(zhuǎn)換效率的高壓大功率電子電力器件。內(nèi)蒙古氮化鎵β-Ga2O3功率器件在與GaN和SiC相同的耐壓情況下，導通電阻更低、功耗更小、更耐高溫、能夠極大地節(jié)約上述高壓器件工作時的電能損失，因此Ga2O3提供了一種更高效更節(jié)能的選擇。

氫氧化銦屬于銦的延伸產(chǎn)品，為白色沉淀，加熱至低于150℃時失水，不溶于冷水、氨水，微溶于NaOH，在濃堿中生成M3[In(OH)6]，溶于酸。制法：由銦鹽水溶液中加入氨水或氫氧化堿而得。內(nèi)蒙古氮化鎵用途：廣泛應(yīng)用于顯示Chemicalbook器玻璃、陶瓷、化學試劑、低汞和無汞電池的添加劑，以及ITO靶材，如太陽能電池、液晶顯示材料、低汞和無汞堿性電池鋅的添加劑等。氮化鎵隨著電池無汞化的進程，用氫氧化銦取代汞做為電池的添加劑已成為今后電池業(yè)的發(fā)展趨勢。

目前，我國金屬鎵的消費領(lǐng)域包含半導體和光電材料、太陽能電池、合金、醫(yī)療器械、磁性資料等，其中半導體行業(yè)已成為鎵最大的消費領(lǐng)域，約占總消費量的80%。氮化鎵隨著鎵下游應(yīng)用行業(yè)的快速發(fā)展，尤其是半導體和太陽能電池領(lǐng)域，未來對金屬鎵的需求也將穩(wěn)步增長。鎵的用途用來制作光學玻璃、真空管、半導體的原料。裝入石英溫度計可測量高溫。加入鋁中可制得易熱處理的合金。鎵和金的合金應(yīng)用在裝飾和鑲牙方面。氮化鎵粉末也用來作有機合成的催化劑。鎵是銀白色 金屬 。密度5.904克/厘米3。熔點29.78℃。沸點2403℃。化合價2和3。第一電離能5.999電子伏特。凝固點很低。

鍺是一種銀白色金屬，主要用于半導體工業(yè)，制造晶體管、二極管和電子高能原料，制造金屬增加合金硬度，還用于醫(yī)藥工業(yè)。氮化鎵鍺及其化合物屬低毒、鍺吸收排泄迅速，經(jīng)肝腎從尿中排出，肝臟和腎臟僅有微量鍺。內(nèi)蒙古氮化鎵動物實驗給二氧化鍺10ug/g飼料14周，未產(chǎn)生明顯毒性作用，相反可刺激動物生長，當給以1000ug/g的飼料則抑制動物生長，4周后有50%動物死亡，尸檢發(fā)現(xiàn)肺氣腫、肝腫大、腎小管變性和壞死。經(jīng)過調(diào)查半導體工廠和鍺廠，目前尚未鍺及化合物引起職業(yè)中毒。

用途：用于制鍺，也用于電子工業(yè)。用作半導體材料。氮化鎵用作金屬鍺和其他鍺化合物的制取原料、制取聚對苯二甲酸乙二酯樹脂時的催化劑以及光譜分析和半導體材料。可以制造光學玻璃熒光粉，可作為催化劑用于石油提煉時轉(zhuǎn)化、去氫、汽油餾份的調(diào)整、彩色膠卷及聚脂纖維生產(chǎn)。氮化鎵粉末不但如此，二氧化鍺還是聚合反應(yīng)的催化劑，含二氧化鍺的玻璃有較高的折射率和色散性能，可作廣角照相機和顯微鏡鏡頭，隨著技術(shù)的發(fā)展，二氧化鍺被廣泛用于制作高純金屬鍺、鍺化合物、化工催化劑及醫(yī)藥工業(yè)，PET樹脂、電子器件等。