氧化鎵是一種新興的功率半導(dǎo)體材料，其禁帶寬度大于硅，氮化鎵和碳化硅，在高功率應(yīng)用領(lǐng)域的應(yīng)用優(yōu)勢(shì)愈加明顯。氧化鈧但氧化鎵不會(huì)取代SiC和GaN，后兩者是硅之后的下一代主要半導(dǎo)體材料。氧化鈧粉末氧化鎵更有可能在擴(kuò)展超寬禁帶系統(tǒng)可用的功率和電壓范圍方面發(fā)揮作用。而最有希望的應(yīng)用可能是電力調(diào)節(jié)和配電系統(tǒng)中的高壓整流器，如電動(dòng)汽車(chē)和光伏太陽(yáng)能系統(tǒng)。但是，在成為電力電子產(chǎn)品的主要競(jìng)爭(zhēng)者之前，氧化鎵仍需要開(kāi)展更多的研發(fā)和推進(jìn)工作，以克服自身的不足。

真空鍍膜過(guò)程非常復(fù)雜，由于鍍膜原理的不同分為很多種類(lèi)，僅僅因?yàn)槎夹枰哒婵斩榷鴵碛薪y(tǒng)名稱(chēng)。氧化鈧所以對(duì)于不同原理的真空鍍膜，影響均勻性的因素也不盡相同。并且均勻性這個(gè)概念本身也會(huì)隨著鍍膜尺度和薄膜成分而有著不同的意義。氧化鈧粉末化學(xué)組分上的均勻性：就是說(shuō)在薄膜中，化合物的原子組分會(huì)由于尺度過(guò)小而很容易的產(chǎn)生不均勻性，SiTiO3薄膜，如果鍍膜過(guò)程不科學(xué)，那么實(shí)際表面的組分并不是SiTiO3，而可能是其他的比例，鍍的膜并非是想要的膜的化學(xué)成分，這也是真空鍍膜的技術(shù)含量所在。晶格有序度的均勻性：這決定了薄膜是單晶，多晶，非晶，是真空鍍膜技術(shù)中的熱點(diǎn)問(wèn)題。

鎵的鹵化物具有較高的活性，可以用于聚合和脫水等工藝，例如使用三氯化鎵(GaCl3)作催化劑生產(chǎn)乙基苯、丙基苯和酮。氧化鈧而來(lái)自美國(guó)和丹麥科研人員開(kāi)發(fā)的一種新的鎳-鎵催化劑，可以用來(lái)轉(zhuǎn)化氫和二氧化碳為甲醇。氧化鈧粉末為了提高石油開(kāi)采的經(jīng)濟(jì)效益，包括中國(guó)在內(nèi)的一些國(guó)家都在研究使用硝酸鎵的新型石油催化劑。

氧化銦的合成方法有哪些？將高純金屬銦在空氣中燃燒或?qū)⑻妓徙熿褵蒊n2O、InO、In2O3，精細(xì)控制還原條件可制得高純In2O3。求購(gòu)氧化鈧粉末也可用噴霧燃燒工藝制得平均粒徑為20nm的三氧化二銦陶瓷粉。將氫氧化銦灼燒制備三氧化二銦時(shí)，溫度過(guò)高的話(huà)，In2O3有熱分解的可能性，若溫度過(guò)低則難以完全脫水，而且生成的氧化物具有吸濕性，因此，加熱溫度和時(shí)間是重要的因素。另外，因?yàn)镮n2O3容易被還原，所以必須經(jīng)常保持在氧化氣氛中。氧化鈧將氫氧化銦在空氣中，于850℃灼燒至恒重，生成In2O3，再在空氣中于1000℃加熱30min。其他硝酸銦、碳酸銦、硫酸銦在空氣中灼燒也可以制得三氧化二銦。

氧化銦是一種新的n型透明半導(dǎo)體功能材料，具有較寬的禁帶寬度、較小的電阻率和較高的催化活性，在光電領(lǐng)域、氣體傳感器、催化劑方面得到了廣泛應(yīng)用。氧化鈧電阻式觸摸屏中經(jīng)常使用的原材料，主要用于熒光屏、玻璃、陶瓷、化學(xué)試劑等。另外，廣泛應(yīng)用于有色玻璃、陶瓷、堿錳電池代汞緩蝕劉、化學(xué)試劑等傳統(tǒng)領(lǐng)域。求購(gòu)氧化鈧粉末近年來(lái)大量應(yīng)用于光電行業(yè)等高新技術(shù)領(lǐng)域和軍事領(lǐng)域，特別適用于加工為銦錫氧化物(ITO)靶材，制造透明電極和透明熱反射體材料，用于生產(chǎn)平面液晶顯示器和除霧冰器。

鈧是稀土元素的一種，是應(yīng)用于諸多國(guó)防軍工及高科技領(lǐng)域的不可替代的戰(zhàn)略資源。氧化鈧金屬鈧粉在新材料領(lǐng)域中的應(yīng)用，包括在鋁鈧合金、燃料電池、鈧鈉鹵燈、示蹤劑、激光晶體、特種鋼和有色合金中的作用，并分析了它們的具體應(yīng)用領(lǐng)域。盤(pán)錦氧化鈧隨后分析了制約鈧規(guī)?；瘧?yīng)用的因素，并簡(jiǎn)要介紹了當(dāng)前鈧資源的生產(chǎn)開(kāi)發(fā)狀況。