氧化鎵（β-Ga2O3）作為繼GaN和SiC之后的下一代超寬禁帶半導體材料，其禁帶寬度約為4.8 eV，理論擊穿場強為8 MV/cm，電子遷移率為300 cm2/Vs，因此β-Ga2O3具有4倍于GaN，10倍于SiC以及3444倍于Si的Baliga技術指標。鍺粉同時通過熔體法可以獲得低缺陷密度的大尺寸β-Ga2O3襯底，使得β-Ga2O3器件的成本相比于GaN以及SiC器件更低。隨著高鐵、電動汽車以及高壓電網輸電系統的快速發(fā)展，全世界急切的需要具有更高轉換效率的高壓大功率電子電力器件。寧波鍺粉β-Ga2O3功率器件在與GaN和SiC相同的耐壓情況下，導通電阻更低、功耗更小、更耐高溫、能夠極大地節(jié)約上述高壓器件工作時的電能損失，因此Ga2O3提供了一種更高效更節(jié)能的選擇。

氧化鈧的化學式為Sc2O3。性質：白色固體。具有稀土倍半氧化物的立方結構。密度3.864.熔點2403℃±20℃。不溶于水，溶于熱酸中。鍺粉由鈧鹽熱分解制得。可用作半導體鍍層的蒸鍍材料。制做可變波長的固體激光器和高清晰度的電視電子槍、金屬鹵化物燈等。由于Sc2O3產品具有獨特的物化性質，故在20世紀80年代以來，在許多高新技術和工業(yè)部門中獲得了較好的應用發(fā)展。哪里有鍺粉廠家目前我國及世界的Sc2O3在合金、電光源、催化劑、激活劑和陶瓷等領域的應用狀況敘述于后。

金屬鎵是一種銀白色的稀有金屬。1875年，法國的布瓦博德朗在用光譜分析從閃鋅礦得到的提金屬鎵，鎵的發(fā)現不僅是一個化學元素的發(fā)現，它的發(fā)現引起了科學家們對門捷列夫擬定的元素周期系的注重，使化學元素周期系得到贊揚和供認。鍺粉我國金屬鎵的消費領域包括半導體和光電材料、太陽能電池、合金、醫(yī)療器械、磁性材料等，其中半導體行業(yè)已成為鎵最大的消費領域，約占總消費量的80%。寧波哪里有鍺粉廠家隨著鎵下游應用行業(yè)的快速發(fā)展，尤其是半導體行業(yè)和太陽能電池行業(yè)，未來金屬鎵需求也將穩(wěn)步增長。

氧化鎵是一種新興的功率半導體材料，其禁帶寬度大于硅，氮化鎵和碳化硅，在高功率應用領域的應用優(yōu)勢愈加明顯。鍺粉但氧化鎵不會取代SiC和GaN，后兩者是硅之后的下一代主要半導體材料。鍺粉廠家氧化鎵更有可能在擴展超寬禁帶系統可用的功率和電壓范圍方面發(fā)揮作用。而最有希望的應用可能是電力調節(jié)和配電系統中的高壓整流器，如電動汽車和光伏太陽能系統。但是，在成為電力電子產品的主要競爭者之前，氧化鎵仍需要開展更多的研發(fā)和推進工作，以克服自身的不足。

氮化鎵作為一種與Ⅲ-Ⅴ化合物半導體材料，因與鍺半導體互為等電子體，卻擁有不同的結構與帶隙，就引起了科學界對探索其特性的廣泛興趣。鍺粉氮化鎵材料擁有良好的電學特性，相對于硅、砷化鎵、鍺甚至碳化硅器件，氮化鎵器件可以在更高頻率、更高功率、更高溫度的情況下工作，因而被認為是研究短波長光電子器件以及高溫高頻大功率器件的最優(yōu)選材料。哪里有鍺粉廠家其也因此被業(yè)界看做是第三代半導體材料的代表。