純的Sc2O3可用作彩色電視顯象管陰極電子槍的氧化陰極激活劑,效果較好。氧化鎵在彩管陰極上端噴一層一毫米厚的Ba、Sr、Ca氧化層，上面再彌散一層0.1毫米厚的Sc2O3。在氧化層陰極中因Mg、Sr與Ba發(fā)生反應(yīng)，促使Ba還原,釋出的電子更活躍，發(fā)出大電流電子，使熒光體發(fā)光，比不用Sc2O3涂層的陰極可提高電流密度4倍，使電視畫面更清晰，使陰極壽命提高3倍。氧化鎵價(jià)格每臺21英寸顯像陰極用Sc2O3量為0.1mg。目前在世界上一些國家已用此陰極，如日本用的較多，可提高市場競爭力，促進(jìn)電視機(jī)的銷量。

氮化鎵作為一種與Ⅲ-Ⅴ化合物半導(dǎo)體材料，因與鍺半導(dǎo)體互為等電子體，卻擁有不同的結(jié)構(gòu)與帶隙，就引起了科學(xué)界對探索其特性的廣泛興趣。氧化鎵氮化鎵材料擁有良好的電學(xué)特性，相對于硅、砷化鎵、鍺甚至碳化硅器件，氮化鎵器件可以在更高頻率、更高功率、更高溫度的情況下工作，因而被認(rèn)為是研究短波長光電子器件以及高溫高頻大功率器件的最優(yōu)選材料。高純氧化鎵價(jià)格其也因此被業(yè)界看做是第三代半導(dǎo)體材料的代表。

鍺粉,常見的微米級鍺粉和亞納米鍺粉一般都是將金屬鍺錠通過物理破碎的方式加工而成的粉末。氧化鎵鍺粉具有金屬鍺同樣優(yōu)秀的光學(xué)性能和半導(dǎo)體性能。鍺粉按加工設(shè)備分類有真空行星球磨和高能球磨。其中,高能球磨鍺粉能夠達(dá)到亞納米粒徑。高純氧化鎵儲粉主要用于治金、熒光粉,鍺粉還可以用于鍺半導(dǎo)體器件,如鍺二極管、品體三極管及復(fù)合晶體管、鍺半導(dǎo)體光電器件作光電鍺粉用于霍耳及壓阻效應(yīng)的傳感器,作光電導(dǎo)效應(yīng)的放射線檢測器等,廣泛用于彩電、電腦、電話及高頻設(shè)備中。

目前，以碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)為代表的第三代化合物半導(dǎo)體受到的關(guān)注度越來越高，它們在未來的大功率、高溫、高壓應(yīng)用場合將發(fā)揮傳統(tǒng)的硅器件無法實(shí)現(xiàn)的作用。氧化鎵特別是在未來三大新興應(yīng)用領(lǐng)域(汽車、5G和物聯(lián)網(wǎng))之一的汽車方面，會有非常廣闊的發(fā)展前景。氧化鎵是一種寬禁帶半導(dǎo)體，禁帶寬度Eg=4.9eV，其導(dǎo)電性能和發(fā)光特性良好，因此，其在光電子器件方面有廣闊的應(yīng)用前景，被用作于Ga基半導(dǎo)體材料的絕緣層，以及紫外線濾光片。氧化鎵價(jià)格這些是氧化鎵的傳統(tǒng)應(yīng)用領(lǐng)域，而其在未來的功率、特別是大功率應(yīng)用場景才是更值得期待的。

鎵的鹵化物具有較高的活性，可以用于聚合和脫水等工藝，例如使用三氯化鎵(GaCl3)作催化劑生產(chǎn)乙基苯、丙基苯和酮。氧化鎵而來自美國和丹麥科研人員開發(fā)的一種新的鎳-鎵催化劑，可以用來轉(zhuǎn)化氫和二氧化碳為甲醇。氧化鎵價(jià)格為了提高石油開采的經(jīng)濟(jì)效益，包括中國在內(nèi)的一些國家都在研究使用硝酸鎵的新型石油催化劑。

對于濺射類鍍膜：可以簡單理解為利用電子或高能激光轟擊靶材，并使表面組分以原子團(tuán)或離子形式被濺射出來，并且終沉積在基片表面，經(jīng)歷成膜過程，終形成薄膜。氧化鎵濺射鍍膜又分為很多種，總體看，與蒸發(fā)鍍膜的不同點(diǎn)在于濺射速率將成為主要參數(shù)之。蘇州氧化鎵濺射鍍膜中的激光濺射鍍膜pld，組分均勻性容易保持，而原子尺度的厚度均勻性相對較差(因?yàn)槭敲}沖濺射)，晶向(外沿)生長的控制也比較般。以pld為例，因素主要有：靶材與基片的晶格匹配程度、鍍膜氛圍(低壓氣體氛圍)、基片溫度、激光器功率、脈沖頻率、濺射時間。