SiC和GaN相比，β-Ga2O3有望以低成本制造出高耐壓且低損失的功率半導(dǎo)體元件，因而引起了極大關(guān)注。氟化銦我們一直在致力于利用氧化鎵（Ga2O3）的功率半導(dǎo)體元件（以下簡(jiǎn)稱功率元件）的研發(fā)。Ga2O3與作為新一代功率半導(dǎo)體材料推進(jìn)開發(fā)的SiC和GaN相比，有望以低成本制造出高耐壓且低損失的功率元件。揚(yáng)州氟化銦價(jià)格其原因在于材料特性出色，比如帶隙比SiC及GaN大，而且還可利用能夠高品質(zhì)且低成本制造單結(jié)晶的“溶液生長(zhǎng)法”。

鈧在合金中主要起著變質(zhì)和細(xì)化晶粒的作用，使生成新相的Al3Sc型而呈現(xiàn)了性能優(yōu)異的特色。氟化銦Al-Sc合金已形成了系列的合金系列，如俄羅斯已達(dá)到17種Al-Sc系列，我國(guó)也有幾種合金(如Al-Mg-Sc-Zr及Al-Zn-Mg-Sc合金)。這類合金的特性其它材料無(wú)法代替，故從發(fā)展上看，其應(yīng)用發(fā)展及潛力是很大的，可望成為今后的應(yīng)用大戶。揚(yáng)州氟化銦如俄羅斯已工業(yè)化生產(chǎn)，且用于輕型結(jié)構(gòu)件發(fā)展較快，我國(guó)也正在加快研制和應(yīng)用，特別是在宇航和航空方面前景最好。

氧化鎵的導(dǎo)熱性能較差，但其禁帶寬度(4.9eV)超過(guò)碳化硅(約3.4eV)，氮化鎵(約3.3eV)和硅(1.1eV)的。氟化銦由于禁帶寬度可衡量使電子進(jìn)入導(dǎo)通狀態(tài)所需的能量。采用寬禁帶材料制成的系統(tǒng)可以比由禁帶較窄材料組成的系統(tǒng)更薄、更輕，并且能應(yīng)對(duì)更高的功率，有望以低成本制造出高耐壓且低損失的功率元件。高純氟化銦價(jià)格寬禁帶允許在更高的溫度下操作，從而減少對(duì)龐大的冷卻系統(tǒng)的需求。

在新型電光源中的應(yīng)用，如鈧-鈉素?zé)?，該燈發(fā)出的光接近太陽(yáng)光，具有光度高，光色好，節(jié)電能，壽命長(zhǎng)，破霧能力強(qiáng)等。氟化銦在激光中的應(yīng)用，在GGG加入鈧后，制成GSGG，發(fā)射功率比同體積的其它激光器提高了三倍，并可達(dá)到大功率化和小型化的要求。在合金中的應(yīng)用：在合金材科中主要用于合金的添加劑和改性劑，在鋁及鋁合金中加入鈧后，可有效提高合金的綜合性能。高純氟化銦價(jià)格如合金的強(qiáng)度、硬度、耐熱性、耐蝕性和焊接性等有明顯提高。在其它領(lǐng)域的應(yīng)用：如在中子過(guò)濾材料中加入鈧后，在核燃料過(guò)濾時(shí)，可防止UO2發(fā)生相變，利于運(yùn)行作業(yè)。如含鈧的陰極用于彩電顯像管內(nèi)，使的電源密度提高4倍，陰極使用壽命增長(zhǎng)3倍等。

鎵與銦、鉈、錫、鉍、鋅等可在3℃—65℃之間組成一系列低熔合金，用于溫度測(cè)控、儀表中的代汞物、珠定業(yè)作中支撐物、金屬涂層、電子工業(yè)及核工業(yè)的冷卻回路。氟化銦含25%銦的鎵合金為低熔點(diǎn)合金，在16℃時(shí)便熔化，可用于自動(dòng)滅火裝置中。高純氟化銦鎵與銅、鎳、錫、金等可組成冷焊劑，適于難焊接的異型薄壁，金屬間及其與陶瓷間的冷焊接與空洞堵塞。