氧化鈧(Sc2O3)是鈧制品中較為重要的產(chǎn)品之一。氟化鎵它的物化性質(zhì)與稀土氧化物(如La2O3,Y2O3和Lu2O3等)相近,故在生產(chǎn)中采用的生產(chǎn)方法極為相似。Sc2O3可生成金屬鈧(Sc)，不同鹽類(ScCl3,ScF3,ScI3,Sc2(C2O4)3等)及多種鈧合金(Al-Sc,Al-Zr-Sc系列)的產(chǎn)物。這些鈧制品具有實用的技術(shù)價值及較好的經(jīng)濟效果。氟化鎵粉末由于Sc2O3具有一些特性,所以在鋁合金、電光源、激光、催化劑、激活劑、陶瓷和宇航等方面已有較好的應(yīng)用，其發(fā)展前景十分廣闊。

鈧是稀土元素的一種，是應(yīng)用于諸多國防軍工及高科技領(lǐng)域的不可替代的戰(zhàn)略資源。氟化鎵金屬鈧粉在新材料領(lǐng)域中的應(yīng)用，包括在鋁鈧合金、燃料電池、鈧鈉鹵燈、示蹤劑、激光晶體、特種鋼和有色合金中的作用，并分析了它們的具體應(yīng)用領(lǐng)域。鐵嶺氟化鎵隨后分析了制約鈧規(guī)?；瘧?yīng)用的因素，并簡要介紹了當前鈧資源的生產(chǎn)開發(fā)狀況。

對于不同的濺射材料和基片，參數(shù)需要實驗確定，是各不相同的。哪里有氟化鎵粉末鍍膜設(shè)備的好壞主要在于能否精確控溫，能否保證好的真空度，能否保證好的真空腔清潔度。氟化鎵MBE分子束外沿鍍膜技術(shù)，已經(jīng)比較好的解決了如上所屬的問題，但是基本用于實驗研究，工業(yè)生產(chǎn)上比較常用的體式鍍膜機主要以離子蒸發(fā)鍍膜和磁控濺射鍍膜為主。

幾年來，科學家們也一直致力于研究這種材料氧化鎵（ga2O3）。氟化鎵這種新型半導(dǎo)體的帶隙相對較大，為4.8電子伏，這意味著在電力電子領(lǐng)域，特別是在高電壓被轉(zhuǎn)換成低電壓的情況下，氧化鎵至少部分地可以超過當前恒星的階段：硅（Si）、碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）。鐵嶺哪里有氟化鎵粉末到目前為止，SiC是唯一一種不易產(chǎn)生明顯缺陷的基體，但外延生長速度相對較慢。對于氮化鎵來說，仍然沒有有效的方法來生產(chǎn)大體積的合適的單晶。因此，它被沉積到像藍寶石或硅這樣的外來基板上，但它們的不同晶格常數(shù)導(dǎo)致了外延過程中的錯位。

氟化鎵:白色結(jié)晶粉末。六方晶結(jié)構(gòu)。氟化鎵易溶于稀鹽酸。具強腐蝕性，可以腐蝕玻璃、石英，晶體結(jié)構(gòu)為離子晶體。物化性質(zhì):白色結(jié)晶粉末。六方晶結(jié)構(gòu)。密度4.47g/cm3。熔點約1000℃。在氮氣流中約800℃下升華而不分解。微溶于水和烯酸中，能溶于氫氟酸中。由六氟鎵酸銨熱分解制取。三水合物易溶于稀鹽酸。具強腐蝕性，可以腐蝕玻璃、石英。哪里有氟化鎵粉末氟化鎵是一種無機化合物。這種白色固體的熔點超過1000°C，但是在950°C左右就會升華。它具有FeF3型結(jié)構(gòu)，鎵原子為6配位。

氮化鎵作為一種與Ⅲ-Ⅴ化合物半導(dǎo)體材料，因與鍺半導(dǎo)體互為等電子體，卻擁有不同的結(jié)構(gòu)與帶隙，就引起了科學界對探索其特性的廣泛興趣。氟化鎵氮化鎵材料擁有良好的電學特性，相對于硅、砷化鎵、鍺甚至碳化硅器件，氮化鎵器件可以在更高頻率、更高功率、更高溫度的情況下工作，因而被認為是研究短波長光電子器件以及高溫高頻大功率器件的最優(yōu)選材料。哪里有氟化鎵粉末其也因此被業(yè)界看做是第三代半導(dǎo)體材料的代表。