氧化銦是一種新的n型透明半導(dǎo)體功能材料，具有較寬的禁帶寬度、較小的電阻率和較高的催化活性，在光電領(lǐng)域、氣體傳感器、催化劑方面得到了廣泛應(yīng)用。氧化鎵而氧化銦顆粒尺寸達(dá)納米級別時除具有以上功能外，還具備了納米材料的表面效應(yīng)、量子尺寸效應(yīng)、小尺寸效應(yīng)和宏觀量子隧道效應(yīng)等。哪里有氧化鎵分子式：In2O3，分子量277.62。用途：主要應(yīng)用于生產(chǎn)液晶顯示儀ITO和高能堿性電池鋅粉及熒光材料等方面。規(guī)格：氧化銦為黃色粉末狀。氧化銦每瓶重1000g±10g?；瘜W(xué)成分：（Q指企業(yè)標(biāo)準(zhǔn)）

薄膜均勻性的概念：1.厚度上的均勻性，也可以理解為粗糙度，在光學(xué)薄膜的尺度上看(也就是1/10波長作為單位，約為100A)。哪里有氧化鎵價格真空鍍膜的均勻性已經(jīng)相當(dāng)好，可以輕松將粗糙度控制在可見光波長的1/10范圍內(nèi)，也就是說對于薄膜的光學(xué)性來說，真空鍍膜沒有任何障礙。氧化鎵但是如果是指原子層尺度上的均勻度，也就是說要實(shí)現(xiàn)10A甚至1A的表面平整，是現(xiàn)在真空鍍膜中主要的技術(shù)含量與技術(shù)瓶頸所在，具體控制因素下面會根據(jù)不同鍍膜給出詳細(xì)解釋。

氧化鎵（β-Ga2O3）作為繼GaN和SiC之后的下一代超寬禁帶半導(dǎo)體材料，其禁帶寬度約為4.8 eV，理論擊穿場強(qiáng)為8 MV/cm，電子遷移率為300 cm2/Vs，因此β-Ga2O3具有4倍于GaN，10倍于SiC以及3444倍于Si的Baliga技術(shù)指標(biāo)。氧化鎵同時通過熔體法可以獲得低缺陷密度的大尺寸β-Ga2O3襯底，使得β-Ga2O3器件的成本相比于GaN以及SiC器件更低。隨著高鐵、電動汽車以及高壓電網(wǎng)輸電系統(tǒng)的快速發(fā)展，全世界急切的需要具有更高轉(zhuǎn)換效率的高壓大功率電子電力器件。溫州氧化鎵β-Ga2O3功率器件在與GaN和SiC相同的耐壓情況下，導(dǎo)通電阻更低、功耗更小、更耐高溫、能夠極大地節(jié)約上述高壓器件工作時的電能損失，因此Ga2O3提供了一種更高效更節(jié)能的選擇。

鎵的市場小，很容易受外界的影響，中鋁河南、遵義工廠的開工使鎵的供應(yīng)增加，市場對后市供應(yīng)可能會再度過剩的恐慌情緒對價格產(chǎn)生影響，造成鎵的價格難以維持平穩(wěn)，鎵的進(jìn)行價格調(diào)整期。氧化鎵需要指出的是，目前鎵的價格已經(jīng)接近生產(chǎn)成本線，后續(xù)鎵的生產(chǎn)將進(jìn)入虧本經(jīng)營，鎵市場降價趨勢的過早來臨改變了本年度下游對市場的預(yù)期，2017年的最后一個多月，鎵市場將會進(jìn)入煎熬的調(diào)整期。氧化鎵價格下周鎵的市場預(yù)期仍不被看好，將穩(wěn)中有降低。

用純Sc2O3≥ 99.9%加入于釓鎵石榴石(GGG)可制成釓鎵鈧石榴石(GGSG)，其構(gòu)成為Gd3Sc2Ga3O12型式。氧化鎵由它做成的第三代激光器所發(fā)出的發(fā)射功率比同體積的激光器提高3.0倍，已達(dá)到了大功率化和小型化的激光裝置，提高了激光振蕩輸出功率，改進(jìn)了激光器的使用性能。在制備單晶時，每爐料3kg～ 5kg,加入Sc2O3≥ 99.9%原料為1.0kg左右。氧化鎵價格目前這種激光器在軍工技術(shù)上的應(yīng)用日益廣泛，也逐步推向民用工業(yè)。從發(fā)展看，今后在軍用和民用的潛力較大。

鍺粉,常見的微米級鍺粉和亞納米鍺粉一般都是將金屬鍺錠通過物理破碎的方式加工而成的粉末。氧化鎵鍺粉具有金屬鍺同樣優(yōu)秀的光學(xué)性能和半導(dǎo)體性能。鍺粉按加工設(shè)備分類有真空行星球磨和高能球磨。其中,高能球磨鍺粉能夠達(dá)到亞納米粒徑。哪里有氧化鎵儲粉主要用于治金、熒光粉,鍺粉還可以用于鍺半導(dǎo)體器件,如鍺二極管、品體三極管及復(fù)合晶體管、鍺半導(dǎo)體光電器件作光電鍺粉用于霍耳及壓阻效應(yīng)的傳感器,作光電導(dǎo)效應(yīng)的放射線檢測器等,廣泛用于彩電、電腦、電話及高頻設(shè)備中。