對于不同的濺射材料和基片，參數(shù)需要實驗確定，是各不相同的。哪里有氮化鎵粉末鍍膜設備的好壞主要在于能否精確控溫，能否保證好的真空度，能否保證好的真空腔清潔度。氮化鎵MBE分子束外沿鍍膜技術(shù)，已經(jīng)比較好的解決了如上所屬的問題，但是基本用于實驗研究，工業(yè)生產(chǎn)上比較常用的體式鍍膜機主要以離子蒸發(fā)鍍膜和磁控濺射鍍膜為主。

鉍具有一系列的優(yōu)良特性，如比重大、熔點低、凝固時體積冷脹熱縮等，尤其是鉍的無毒與不致癌性使鉍具有很多特殊的用途。氮化鎵鉍廣泛應用于冶金、化工 、電子、宇航 、醫(yī)藥等領域。哪里有氮化鎵從消費結(jié)構(gòu)來看，各國鉍的消費結(jié)構(gòu)各有側(cè)重，美國鉍的消費主要用于冶金添加劑、低熔點合金、焊料、彈藥筒以及醫(yī)藥化工行業(yè)等；日本和韓國的消費主要以電子行業(yè)為主；中國鉍消費仍舊是以傳統(tǒng)領域為主。

目前，以碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)為代表的第三代化合物半導體受到的關注度越來越高，它們在未來的大功率、高溫、高壓應用場合將發(fā)揮傳統(tǒng)的硅器件無法實現(xiàn)的作用。氮化鎵特別是在未來三大新興應用領域(汽車、5G和物聯(lián)網(wǎng))之一的汽車方面，會有非常廣闊的發(fā)展前景。氧化鎵是一種寬禁帶半導體，禁帶寬度Eg=4.9eV，其導電性能和發(fā)光特性良好，因此，其在光電子器件方面有廣闊的應用前景，被用作于Ga基半導體材料的絕緣層，以及紫外線濾光片。氮化鎵粉末這些是氧化鎵的傳統(tǒng)應用領域，而其在未來的功率、特別是大功率應用場景才是更值得期待的。

真空鍍膜過程非常復雜，由于鍍膜原理的不同分為很多種類，僅僅因為都需要高真空度而擁有統(tǒng)名稱。氮化鎵所以對于不同原理的真空鍍膜，影響均勻性的因素也不盡相同。并且均勻性這個概念本身也會隨著鍍膜尺度和薄膜成分而有著不同的意義。氮化鎵粉末化學組分上的均勻性：就是說在薄膜中，化合物的原子組分會由于尺度過小而很容易的產(chǎn)生不均勻性，SiTiO3薄膜，如果鍍膜過程不科學，那么實際表面的組分并不是SiTiO3，而可能是其他的比例，鍍的膜并非是想要的膜的化學成分，這也是真空鍍膜的技術(shù)含量所在。晶格有序度的均勻性：這決定了薄膜是單晶，多晶，非晶，是真空鍍膜技術(shù)中的熱點問題。

幾年來，科學家們也一直致力于研究這種材料氧化鎵（ga2O3）。氮化鎵這種新型半導體的帶隙相對較大，為4.8電子伏，這意味著在電力電子領域，特別是在高電壓被轉(zhuǎn)換成低電壓的情況下，氧化鎵至少部分地可以超過當前恒星的階段：硅（Si）、碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）。內(nèi)蒙古哪里有氮化鎵粉末到目前為止，SiC是唯一一種不易產(chǎn)生明顯缺陷的基體，但外延生長速度相對較慢。對于氮化鎵來說，仍然沒有有效的方法來生產(chǎn)大體積的合適的單晶。因此，它被沉積到像藍寶石或硅這樣的外來基板上，但它們的不同晶格常數(shù)導致了外延過程中的錯位。

鍺粉,常見的微米級鍺粉和亞納米鍺粉一般都是將金屬鍺錠通過物理破碎的方式加工而成的粉末。氮化鎵鍺粉具有金屬鍺同樣優(yōu)秀的光學性能和半導體性能。鍺粉按加工設備分類有真空行星球磨和高能球磨。其中,高能球磨鍺粉能夠達到亞納米粒徑。哪里有氮化鎵儲粉主要用于治金、熒光粉,鍺粉還可以用于鍺半導體器件,如鍺二極管、品體三極管及復合晶體管、鍺半導體光電器件作光電鍺粉用于霍耳及壓阻效應的傳感器,作光電導效應的放射線檢測器等,廣泛用于彩電、電腦、電話及高頻設備中。