二氧化鍺為四方晶系、六方晶系或無定形體。氟化鎵六方結(jié)晶與β-石英同構(gòu)，鍺為四配位，四方結(jié)晶具有超石英型結(jié)構(gòu)，類似于金紅石，其中鍺為六配位。高壓下，無定形二氧化鍺轉(zhuǎn)變?yōu)榱湮唤Y(jié)構(gòu);隨著壓力降低，二氧化鍺也逐漸變?yōu)樗呐湮坏慕Y(jié)構(gòu)。類金紅石型結(jié)構(gòu)的二氧化鍺在高壓下可轉(zhuǎn)變?yōu)榱硪环N正交晶系氯化鈣型結(jié)構(gòu)。高純氟化鎵二氧化鍺不溶于水和鹽酸，溶于堿液生成鍺酸鹽。 類金紅石型結(jié)構(gòu)的二氧化鍺比六方二氧化鍺更易溶于水，它與水作用時(shí)可產(chǎn)生鍺酸。二氧化鍺與鍺粉在1000°C共熱時(shí)，可得到一氧化鍺。

三氧化二鉍純品有α型和β型。α型為黃色單斜晶系結(jié)晶，相對密度8.9，熔點(diǎn)825 ℃，溶于酸，不溶于水和堿。氟化鎵β型為亮黃色至橙色，正方晶系，相對密度8.55，熔點(diǎn)860 ℃，溶于酸，不溶于水。容易被氫氣、烴類等還原為金屬鉍。氧化鉍用于制備鉍鹽；用作電子陶瓷粉體材料、電解質(zhì)材料、光電材料、高溫超導(dǎo)材料、催化劑。高純氟化鎵氧化鉍作為電子陶瓷粉體材料中的重要添加劑，純度一般要求在99.15%以上，主要應(yīng)用對象有氧化鋅壓敏電阻、陶瓷電容、鐵氧體磁性材料三類；以及釉藥橡膠配合劑、醫(yī)藥、紅色玻璃配合劑等方面。

氧化鈧的化學(xué)式為Sc2O3。性質(zhì)：白色固體。具有稀土倍半氧化物的立方結(jié)構(gòu)。密度3.864.熔點(diǎn)2403℃±20℃。不溶于水，溶于熱酸中。氟化鎵由鈧鹽熱分解制得?？捎米靼雽?dǎo)體鍍層的蒸鍍材料。制做可變波長的固體激光器和高清晰度的電視電子槍、金屬鹵化物燈等。由于Sc2O3產(chǎn)品具有獨(dú)特的物化性質(zhì)，故在20世紀(jì)80年代以來，在許多高新技術(shù)和工業(yè)部門中獲得了較好的應(yīng)用發(fā)展。高純氟化鎵粉末目前我國及世界的Sc2O3在合金、電光源、催化劑、激活劑和陶瓷等領(lǐng)域的應(yīng)用狀況敘述于后。

氧化鎵（β-Ga2O3）作為繼GaN和SiC之后的下一代超寬禁帶半導(dǎo)體材料，其禁帶寬度約為4.8 eV，理論擊穿場強(qiáng)為8 MV/cm，電子遷移率為300 cm2/Vs，因此β-Ga2O3具有4倍于GaN，10倍于SiC以及3444倍于Si的Baliga技術(shù)指標(biāo)。氟化鎵同時(shí)通過熔體法可以獲得低缺陷密度的大尺寸β-Ga2O3襯底，使得β-Ga2O3器件的成本相比于GaN以及SiC器件更低。隨著高鐵、電動(dòng)汽車以及高壓電網(wǎng)輸電系統(tǒng)的快速發(fā)展，全世界急切的需要具有更高轉(zhuǎn)換效率的高壓大功率電子電力器件。邯鄲氟化鎵β-Ga2O3功率器件在與GaN和SiC相同的耐壓情況下，導(dǎo)通電阻更低、功耗更小、更耐高溫、能夠極大地節(jié)約上述高壓器件工作時(shí)的電能損失，因此Ga2O3提供了一種更高效更節(jié)能的選擇。