對(duì)于濺射類鍍膜：可以簡(jiǎn)單理解為利用電子或高能激光轟擊靶材，并使表面組分以原子團(tuán)或離子形式被濺射出來，并且終沉積在基片表面，經(jīng)歷成膜過程，終形成薄膜。氧化銦濺射鍍膜又分為很多種，總體看，與蒸發(fā)鍍膜的不同點(diǎn)在于濺射速率將成為主要參數(shù)之。四平氧化銦濺射鍍膜中的激光濺射鍍膜pld，組分均勻性容易保持，而原子尺度的厚度均勻性相對(duì)較差(因?yàn)槭敲}沖濺射)，晶向(外沿)生長(zhǎng)的控制也比較般。以pld為例，因素主要有：靶材與基片的晶格匹配程度、鍍膜氛圍(低壓氣體氛圍)、基片溫度、激光器功率、脈沖頻率、濺射時(shí)間。

鎵的市場(chǎng)小，很容易受外界的影響，中鋁河南、遵義工廠的開工使鎵的供應(yīng)增加，市場(chǎng)對(duì)后市供應(yīng)可能會(huì)再度過剩的恐慌情緒對(duì)價(jià)格產(chǎn)生影響，造成鎵的價(jià)格難以維持平穩(wěn)，鎵的進(jìn)行價(jià)格調(diào)整期。氧化銦需要指出的是，目前鎵的價(jià)格已經(jīng)接近生產(chǎn)成本線，后續(xù)鎵的生產(chǎn)將進(jìn)入虧本經(jīng)營(yíng)，鎵市場(chǎng)降價(jià)趨勢(shì)的過早來臨改變了本年度下游對(duì)市場(chǎng)的預(yù)期，2017年的最后一個(gè)多月，鎵市場(chǎng)將會(huì)進(jìn)入煎熬的調(diào)整期。氧化銦價(jià)格下周鎵的市場(chǎng)預(yù)期仍不被看好，將穩(wěn)中有降低。

鉍具有一系列的優(yōu)良特性，如比重大、熔點(diǎn)低、凝固時(shí)體積冷脹熱縮等，尤其是鉍的無毒與不致癌性使鉍具有很多特殊的用途。氧化銦鉍廣泛應(yīng)用于冶金、化工 、電子、宇航 、醫(yī)藥等領(lǐng)域。求購(gòu)氧化銦從消費(fèi)結(jié)構(gòu)來看，各國(guó)鉍的消費(fèi)結(jié)構(gòu)各有側(cè)重，美國(guó)鉍的消費(fèi)主要用于冶金添加劑、低熔點(diǎn)合金、焊料、彈藥筒以及醫(yī)藥化工行業(yè)等；日本和韓國(guó)的消費(fèi)主要以電子行業(yè)為主；中國(guó)鉍消費(fèi)仍舊是以傳統(tǒng)領(lǐng)域?yàn)橹鳌?/p>

氧化鎵（β-Ga2O3）作為繼GaN和SiC之后的下一代超寬禁帶半導(dǎo)體材料，其禁帶寬度約為4.8 eV，理論擊穿場(chǎng)強(qiáng)為8 MV/cm，電子遷移率為300 cm2/Vs，因此β-Ga2O3具有4倍于GaN，10倍于SiC以及3444倍于Si的Baliga技術(shù)指標(biāo)。氧化銦同時(shí)通過熔體法可以獲得低缺陷密度的大尺寸β-Ga2O3襯底，使得β-Ga2O3器件的成本相比于GaN以及SiC器件更低。隨著高鐵、電動(dòng)汽車以及高壓電網(wǎng)輸電系統(tǒng)的快速發(fā)展，全世界急切的需要具有更高轉(zhuǎn)換效率的高壓大功率電子電力器件。四平氧化銦β-Ga2O3功率器件在與GaN和SiC相同的耐壓情況下，導(dǎo)通電阻更低、功耗更小、更耐高溫、能夠極大地節(jié)約上述高壓器件工作時(shí)的電能損失，因此Ga2O3提供了一種更高效更節(jié)能的選擇。

幾年來，科學(xué)家們也一直致力于研究這種材料氧化鎵（ga2O3）。氧化銦這種新型半導(dǎo)體的帶隙相對(duì)較大，為4.8電子伏，這意味著在電力電子領(lǐng)域，特別是在高電壓被轉(zhuǎn)換成低電壓的情況下，氧化鎵至少部分地可以超過當(dāng)前恒星的階段：硅（Si）、碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）。四平求購(gòu)氧化銦價(jià)格到目前為止，SiC是唯一一種不易產(chǎn)生明顯缺陷的基體，但外延生長(zhǎng)速度相對(duì)較慢。對(duì)于氮化鎵來說，仍然沒有有效的方法來生產(chǎn)大體積的合適的單晶。因此，它被沉積到像藍(lán)寶石或硅這樣的外來基板上，但它們的不同晶格常數(shù)導(dǎo)致了外延過程中的錯(cuò)位。